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1.
溶剂熔区移动法生长In∶Cd0.9Zn0.1Te晶体的性能研究
段磊
闵嘉华
梁小燕
张继军
凌云鹏
杨柳青
邢晓兵
王林军
《人工晶体学报》
2016,45(5):1163-1167
采用溶剂熔区移动法生长出掺In的Cd0.9Zn0.1Te晶体.测试了晶体轴向Zn含量分布,并对晶体的头部和中部进行了Te夹杂相、红外透过率、I-V特性曲线和PL谱图的对比测试.结果表明:头部晶体的Zn含量、红外透过率和电阻率均大于中部;而头部晶体的Te夹杂尺寸、杂质和缺陷含量均小于中部.
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