全文获取类型
收费全文 | 81篇 |
免费 | 93篇 |
国内免费 | 4篇 |
专业分类
化学 | 9篇 |
晶体学 | 35篇 |
物理学 | 134篇 |
出版年
2023年 | 1篇 |
2018年 | 1篇 |
2017年 | 3篇 |
2015年 | 3篇 |
2014年 | 7篇 |
2013年 | 10篇 |
2012年 | 23篇 |
2011年 | 13篇 |
2010年 | 10篇 |
2009年 | 7篇 |
2008年 | 10篇 |
2007年 | 12篇 |
2006年 | 12篇 |
2005年 | 14篇 |
2004年 | 12篇 |
2003年 | 15篇 |
2002年 | 7篇 |
2001年 | 3篇 |
1999年 | 2篇 |
1998年 | 2篇 |
1997年 | 2篇 |
1994年 | 1篇 |
1993年 | 1篇 |
1992年 | 1篇 |
1991年 | 1篇 |
1987年 | 1篇 |
1983年 | 2篇 |
1981年 | 2篇 |
排序方式: 共有178条查询结果,搜索用时 312 毫秒
1.
2.
3.
采用飞秒荧光上转换技术,研究了阴阳离子菁染料及对应的阴离子和阳离子菁染料吸附在立方型和T型溴碘化银表面上形成J-聚集体的荧光衰减时间分辨特性,分析了几种菁染料增感体系的超快电子转移动力学过程及其对增感效率的影响.通过比较几种菁染料增感体系的荧光衰减特性,两种阴阳离子染料要明显快于阴离子染料、阳离子染料及二者的加合,说明阴阳离子染料聚集体到溴碘化银的电子注入速率较快,增感效果更好.对两种阴阳离子染料聚集体荧光衰减特性的比较,可以看出染料在T型颗粒溴碘化银上形成聚集体的荧光寿命更短,因而对T型颗粒的增感效果更好.染料Dye2的荧光衰减要快于染料Dye1,说明染料Dye2到溴碘化银的电子注入速率更快,增感效率更高. 相似文献
4.
镶嵌有纳米硅的氮化硅薄膜键合特性分析 总被引:3,自引:2,他引:1
采用螺旋波等离子体化学气相沉积(HWPCVD)技术制备了非化学计量比的氢化氮化硅薄膜,对所沉积样品及氮气环境中920 ℃退火样品的微观结构及键合特性进行了分析。Raman散射结果表明,薄膜中过量硅以非晶纳米粒子形式存在,退火样品呈现纳米晶硅和氮化硅的镶嵌结构。红外吸收和可见光吸收特性比较结果显示,薄膜样品的微观结构依赖于化学计量比以及退火过程,硅含量较低样品因高的键合氢含量而表现出低的纳米硅表面缺陷态密度;退火过程将引起Si—H和N—H键合密度的减少,因晶态纳米颗粒的形成,退火样品表现出更高的结构无序度。 相似文献
5.
采用对靶磁控溅射方法在P型晶体硅(c—Si)衬底上沉积n型富硅氮化硅(SiNx)薄膜,形成了富硅SiNx/c—Si异质结.异质结器件呈现出较高的整流比,在室温下当V=4-2V时为1.3×10^3.在正向偏压下温度依赖的J—V特性曲线可以分为三个明显不同的区域.在低偏压区载流子的输运满足欧姆传输机理,在中间偏压区的电流是由载流子的隧穿过程和复合过程共同决定的,在较高偏压区的电输运以具有指数陷阱分布的空间电荷限制电流(SCLC)传输机理为主. 相似文献
6.
辉光等离子体辅助化学气相沉积低温合成金刚石薄膜的研究 总被引:5,自引:0,他引:5
采用辉光放电等离子体增强化学气相沉积 (GP CVD)技术在低温条件下合成了高品质的亚微米金刚石薄膜 ,并通过对合成过程的实时发射光谱诊断确定了 [CH4 H2 ]系统参与金刚石合成反应的主要荷能粒子。对合成过程的研究表明 :采用这种技术能使电子增强热丝化学气相沉积 (EACVD)合成高品质金刚石薄膜的温度从 85 0℃降至 (340± 5 )℃ ;薄膜低温合成中的主要荷能粒子为CH3 、CH ,CH+ 、H 等 ,其中过饱和原子氢保证了高品质金刚石薄膜的合成 ;根据光诊断和探针测量的结果推断近表面辉光放电可在基片表面形成电偶极层 ,该偶极层是进行超常态反应的必要环境 ,并在低温合成中起重要作用 相似文献
7.
Spectral feature with sub-natural linewidth due to quantum interference in a four-level system 下载免费PDF全文
This paper studies the narrow spectral feature appearing in a four-level system coupled by two strong coherent fields and probed by a weak laser field. The linewidth is examined as a function of the Rabi frequencies of coupling fields, and the result is explained by using the dressed-state formalism. 相似文献
8.
本工作利用光学多道分析仪(OMA Ⅲ)测量了脉冲TEA CO2激光诱发的SiH4等离子体内H Balmer系的Hα,Hσ和Hγ线的线型。结果表明,三条谱线的FWHM(半值全宽度)随跃迁上能级的主量子数的增加而增加,即△λ1/2(Hα)<△λ1/2(Hβ)<△λ1/2(Hγ)。通过对等离子体内各类加宽机制的讨论,得出等离子体内谱线的主要加宽机制为Stark加宽。由Hα线的实验线型与Stark加宽理论线型的拟合,得到等离子体的两个重要参量,平均电子密度N≈1017cm-3,电子温度T≈40 000K。由Hβ线的时间分辨测量得到等离子体的电子密度随时间的演变曲线。
关键词: 相似文献
9.
10.