Benzyl alcohol oxidation and hydrogen generation over MoS2/ZnIn2S4 composite photocatalyst

Research on Chemical Intermediates - Owing to the simultaneous utilization of photogenerated electrons and holes, coupling light-driven hydrogen (H2) evolution reaction (HER) and biomass-derived...     

Scalable Quantum Controlled Gates on Single-Photon Polarization Qubits Assisted by Nitrogen-Vacancy Centers Inside Single-Sided Optical Cavities

International Journal of Theoretical Physics - Quantum logic gates are the foundation of circuit-based quantum computation and quantum simulation. Multi-qubit quantum controlled gates are of vital...     

Synthesis and characterization of three co-crystals of bis(benzimidazole) derivatives with aromatic dicarboxylic acids

Research on Chemical Intermediates - Combination of three aromatic carboxylic acids (5-nitroisophthalic acid (H2nip), 2,6-naphthalenedicarboxylic acid (H2ndc), tetrabromoterephthalic acid (H2tbta))...     

甲基紫掺杂聚乙烯醇薄膜材料红光多重全息存储

甲基紫掺杂聚乙烯醇薄膜材料在两束相干光照射下生成相位光栅.当改变一束相干光光程,通过监测相位光栅的一级衍射信号强度的变化,可以检测相位光栅的生长和擦除过程.在此实验基础上,讨论了甲基紫掺杂聚乙烯醇薄膜材料多重全息存储的原理与结果.     

纳米MOSFET迁移率解析模型

从玻尔兹曼方程出发，重新计算了纳米MOSFET沟道内的载流子所服从的分布函数，特别是考虑了纳米MOSFET横向电场和纵向电场之间的相互作用，并且以得到的非平衡状态下的分布函数为基础，考虑载流子寿命和速度的统计分布，给出了纳米MOSFET载流子迁移率的解析表达式.通过与数值模拟结果进行比较和分析，该迁移率解析模型形式简洁、物理概念清晰，且具有相当精度. 关键词： 玻尔兹曼方程 纳米MOSFET 迁移率 沟道有效电场     

Effective stability for generalized Hamiltonian systems

An effective stability result for generalized Hamiltonian systems is obtained by applying the simultaneous approximation technique due to Lochak. Among these systems, dimensions of action variables and angle variables might be distinct.     

过量Zn对β-Zn4Sb3热电性能影响的研究

采用真空熔融缓冷方法制备了单相β-Zn4Sb3以及含有过量Zn的β-Zn4Sb3块体热电材料.在300—700K的温度范围内测试了材料的电导率、Seebeck系数和热导率,研究了β-Zn4Sb3化合物中过量Zn的分布状态及其对材料热电性能的影响规律.结果表明：过量的Zn作为第二相较均匀的分布在β-Zn4Sb3的晶界上,随着Zn含量增加,材料电导率和热导率上升,Seebeck系数下降,Zn第二相的引入能有效提高材料的功率因子,Zn过量2at%的材料在700K时其ZT值达到1.10.     

Specular reflectance of cold-rolled aluminum surfaces

The specular reflectance of cold-rolled aluminum surface is studied using a fiber optic system. An approximation for the determination of surface roughness is presented.     

VA族元素对阳极铅(Ⅱ)氧化物膜半导体性质的影响(Ⅱ)

用光电化学电流法研究了铅、铅砷、铅锑和铅铋合金在4．5mol·L－1H2SO4溶液（22℃）中，以0．9V（vs．Hg／Hg2SO4）极化7h而形成的阳极膜中的氧化铅的半导体性质，合金添加剂砷、锑和铋对t－PbO（四方氧化铝）和o-PbO（斜方氧化铝）的禁带宽度没有影响，从量子效率和电位的关系可求Pb，Pb－lat％As（at％表示原子百分比，全文同），Pb-lat％Sb和Sb－lat％Bi上膜中t－Pbo的施主密度（ND）分别为9．3×1015，1．0×1016，3．1×1016和1．3×1017cm-3，平带位分别为-0．20，－0．22，－0．28和-0．08V（vs．Hg／Hg2SO4）．比较VA元素砷、锑和铋对上述膜中t－Pbo的ND（从而自由电子密度）和膜中t－Pbo的生长速率的影响，可认为法添加剂砷、锑和铋对阳极膜中t-Pbo的作用符合Hauffe规则．     

三线性直接分解法分析高维灰色体系

对于由多个两维测量数据组成的三维阵，本文提出一种新三线性直接分解方法。采用高维ＰＣＡ分解，从三维阵中直接提取抽象光谱和抽象浓度，再结合ＱＺ算法，唯一地确定混合物中各组分光谱的浓度。该方法可以排除其它未知组分的干扰，适用于高维灰色体系定性定量分析和多点校准。用模拟数据讨论了光谱分离度对该方法的影响，应用于混合维生素Ｂ１、Ｂ２和Ｂ６的荧光分析，求得的光谱和浓度与实验值吻合很好。