基于串联两阶段网络DEA模型的供应链规模收益分析

数据包络分析(DEA)是评价供应链系统(Supply chain system)间相对有效性的一种重要的工具,但是传统的DEA不考虑供应链的内部结构,对系统效率评价偏高;而本文所研究两阶段串联供应链系统,考虑把部分中间产品作为最终产品输出,增加额外中间投入的情形.基于所提出的供应链系统结构,本文建立相应的串联结构下的网络DEA模型,并针对所建立模型进行相关理论的研究,给出了串联结构下的生产可能集和规模收益情况判定方法.最后,进行数值实验,以验证我们提出的结论.     

An Efficient Selective Oxidation of Alcohols with Potassium Permanganate Adsorbed on Aluminum Silicate under Solvent-free Conditions and Shaking

A new procedure for the selective oxidation of alcohols to the corresponding aldehydes and ketones with potassium permanganate supported on aluminum silicate at room temperature under solvent-free conditions and shaking is reported.     

氢化丁苯共聚物结构的核磁共振波谱表征Ⅱ.微观结构的定量计算

在氢化丁苯共聚物¹³C-NMR谱脂肪碳部分谱带归属的基础上,根据各谱带的主要来源,推导出六个二单元浓度的计算公式。计算出二单元、一单元的相对含量,各结构单元的数均序列长度、嵌段含量和其它结构参数。加氢前后的¹H-和¹³C-NMR谱的组成计算结果基本一致。初步探讨了作为粘度指数改进剂的氢化丁苯共聚物微观结构与性能的关系,为合成提供了依据。     

关于一类二次哈密尔顿系统在二次扰动下的极限环个数问题

本文研究了一类具有两个鞍点和一个中心的通用二次哈密尔顿向量场在二次扰动下的三参数开折，证明极限环的最小上界为２。     

玻璃陶瓷材料中Tm3+离子红外到蓝色上转换发光

系统研究了PbF2+GeO2+WO3ⅩⅣTmF3玻璃陶瓷材料中,在近红外光(1.06μm)激发下,Tm3+离子的发光特性.实验中观测到Tm3+离子的两组峰值位置分别在20920cm-1和22173cm-1的蓝色上转换发光,并证实这两组上转换发光分别与吸收三个和四个光子有关,同时建立了上转换发光的模型.为了选择最佳掺杂浓度,详细地测量了Tm3+离子峰值为20920cm-1的蓝色上转换发光强度与TmF3浓度的关系.     

非线性光纤方向耦合器孤子动力特性分析

利用变分方法,导出了双曲正割型光孤子在非线性光纤耦合器中传输时满足的动力学方程组,分析了该方程组的平衡点性态,讨论了光孤子的开关特性.指出参数|β|<2π.是能实现完全的开关操作的必要条件.     

溶胶-凝胶制备技术与新型催化材料Ⅲ.溶胶粒子表面修饰方法制备催化膜

提出用溶胶粒子表面修饰方法，结合溶胶凝胶技术制备无机催化膜．该方法的基本原理是利用合适的金属配合物在胶粒表面的吸附作用，经溶胶凝胶过程，将活性组分结合到无机膜中．实验测定结果表明：（ＮｉＥＤＴＡ）２－，ＶＯ－３，ＭｏＯ２－４，（Ｐｄ（ＮＨ３）４）２＋，ＰｄＣｌ２－４，ＰｔＣｌ２－６和ＲｈＣｌ３－６可用来修饰ＡｌＯＯＨ溶胶．以Ｐｄ／γＡｌ２Ｏ３催化膜的制备为例，经三次溶胶凝胶过程，可制得无裂缺的厚度为９μｍ的Ｐｄ／γＡｌ２Ｏ３催化膜，膜材料的平均孔直径为６ｎｍ，Ｐｄ被均匀地分布在膜的顶层，其平均粒径为２３ｎｍ．     

因素空间理论与知识表示的数学框架（Ⅷ）─—变权综合原理

本文是文［１－７］的继续，研究变权综合问题，从确定变权的经验公式入手引出了变权原理，给出了变权的公理化定义，讨论了与之有关的均衡函数及其梯度向量。     

An investigation of the Al2O3-CdSe interface in accumulation

The Al₂O₃−CdSe interface of a thin-film transistor is investigated in the frequency range 30 Hz-30 kHz under weak depletion and accumulation. The surface states are, most likely, located in the insulator Al₂O₃ with a concentration varying from 4·10¹⁸ to 10¹⁹ cm⁻³ eV⁻¹. The surface states have a negligible influence on the thin-film transistor operation.     

All retraction operators on a complete lattice form a complete lattice

H. Crapo raised in 1982 the following problem: IfP is a complete lattice, is Retr (P) a complete lattice? here Retr (P) denotes the set of all retraction operators onP with the pointwise order, that is,f≤g in Retr (P) ifff(x)≤g(x) for everyx inP. An affirmative answer will be given in the present paper.