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In many organic electronic devices functionality is achieved by blending two or more materials, typically polymers or molecules, with distinctly different optical or electrical properties in a single film. The local scale morphology of such blends is vital for the device performance. Here, a simple approach to study the full 3D morphology of phase‐separated blends, taking advantage of the possibility to selectively dissolve the different components is introduced. This method is applied in combination with AFM to investigate a blend of a semiconducting and ferroelectric polymer typically used as active layer in organic ferroelectric resistive switches. It is found that the blend consists of a ferroelectric matrix with three types of embedded semiconductor domains and a thin wetting layer at the bottom electrode. Statistical analysis of the obtained images excludes the presence of a fourth type of domains. The criteria for the applicability of the presented technique are discussed. © 2015 Wiley Periodicals, Inc. J. Polym. Sci., Part B: Polym. Phys. 2015 , 53, 1231–1237  相似文献   
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Journal of Sol-Gel Science and Technology - High temperature stable brookite rich titanium dioxide of average crystallite size 20&;nbsp;nm has been prepared by a novel aqueous sol–gel...  相似文献   
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The external photocontrol over peptide folding, by the incorporation of molecular photoswitches into their structure, provides a powerful tool to study biological processes. However, it is limited so far to switches that exhibit only a rather limited geometrical change upon photoisomerization and that show thermal instability of the photoisomer. Here we describe the use of an overcrowded alkene photoswitch to control a model β-hairpin peptide. This photoresponsive unit undergoes a large conformational change and has two thermally stable isomers which has major influence on the secondary structure and the aggregation of the peptide, permitting the phototriggered formation of amyloid-like fibrils.  相似文献   
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The Al2O3−CdSe interface of a thin-film transistor is investigated in the frequency range 30 Hz-30 kHz under weak depletion and accumulation. The surface states are, most likely, located in the insulator Al2O3 with a concentration varying from 4·1018 to 1019 cm−3 eV−1. The surface states have a negligible influence on the thin-film transistor operation.  相似文献   
10.
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