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In the paper, the authors establish several integral representations for the generating functions of the large and little Schröder numbers and for the large and little Schröder numbers.  相似文献   
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Mesoscopic modeling at the pore scale offers great promise in exploring the underlying structure transport performance of flow through porous media. The present work studies the fluid flow subjected to capillarity-induced resonance in porous media characterized by different porous structure and wettability. The effects of porosity and wettability on the displacement behavior of the fluid flow through porous media are discussed. The results are presented in the form of temporal evolution of percentage saturation and displacement of the fluid front through porous media. The present study reveals that the vibration in the form of acoustic excitation could be significant in the mobilization of fluid through the porous media. The dependence of displacement of the fluid on physicochemical parameters like wettability of the surface, frequency along with the porosity is analyzed. It was observed that the mean displacement of the fluid is more in the case of invading fluid with wetting phase where the driving force strength is not so dominant.  相似文献   
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We prove that the group of diffeomorphisms of the interval [0, 1] contains surface groups whose action on (0, 1) has no global fix point and such that only countably many points of the interval (0, 1) have non-trivial stabiliser.  相似文献   
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In many organic electronic devices functionality is achieved by blending two or more materials, typically polymers or molecules, with distinctly different optical or electrical properties in a single film. The local scale morphology of such blends is vital for the device performance. Here, a simple approach to study the full 3D morphology of phase‐separated blends, taking advantage of the possibility to selectively dissolve the different components is introduced. This method is applied in combination with AFM to investigate a blend of a semiconducting and ferroelectric polymer typically used as active layer in organic ferroelectric resistive switches. It is found that the blend consists of a ferroelectric matrix with three types of embedded semiconductor domains and a thin wetting layer at the bottom electrode. Statistical analysis of the obtained images excludes the presence of a fourth type of domains. The criteria for the applicability of the presented technique are discussed. © 2015 Wiley Periodicals, Inc. J. Polym. Sci., Part B: Polym. Phys. 2015 , 53, 1231–1237  相似文献   
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