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1.
A design of diode-pumped high-efficiency Nd:YVO4/LBO red laser is reported. Using critical phase-matching (CPM) LBO, 671 nm red laser was obtained from 1342 nm light by intracavity frequency doubling. With an incident pump laser of 800 mW, using type-I and type-II CPM LBO, 97 and 52 mWTEM00 mode red laser outputs were obtained, with optical-to-optical conversion efficiencies of up to 12.1% and 6.5%, respectively. 相似文献
2.
3.
500.8 nmNd∶YAG青光激光器光学薄膜的设计与制备 总被引:5,自引:2,他引:3
从双波长激光运转及和频的机理出发,对LD泵浦Nd∶YAG,LBO腔内和频500.8 nm〖JP2〗青光激光器所使用的光学薄膜进行了设计和制备.在激光反射镜的设计上,为了达到最佳的和频输出,对膜系要求进行了深入分析.采用对谐振腔一端面反射率固定不变并通过对另一腔镜基频光的透射率进行调谐的方法, 在给出合理初始结构后,利用计算机对膜厚进行了优化.并采用双离子束溅射沉积的方法,通过时间监控膜厚法成功制备出青光激光器所使用的全介质激光反射膜, 在室温下实现946 nm和1064 nm双波长连续运转,并通过Ⅰ类临界相位匹配LBO晶体腔内和频在国内首次实现500.8 nm青色激光连续输出.当泵浦注入功率为1.4 W时和频青光最大输出达20 mW. 相似文献
4.
近年来,我们基于1,1'-联萘基-2,2'-二酚(BINOL)为手性源成功地发展了一类多手性中心化合物联萘-2-芳甲羟基-2'-醇(Ar-BINMOLs),它是BINOL的单苄醚化合物经过不对称[1,2]-Wittig重排合成得到的,涉及C—O键的断裂与新C—C的构建反应,由轴手性诱导产生新的碳手性中心,结构独特新颖,同时具有C2轴手性和sp3碳手性的光学纯醇酚类化合物.目前,Ar-BINMOLs作为新型手性配体应用于不对称催化反应已有不少的报道.基于BINOL衍生物以及近几年Ar-BINMOLs及其衍生物的研究进展,重点阐述了其作为新型手性配体或手性骨架在不对称催化反应中的应用研究进展. 相似文献
5.
6.
7.
激光经电光相位调制后,由于剩余幅度调制的存在造成调制边带幅度不相等。利用法布里-珀罗腔的透射特性和Pound-Drever-Hall技术对通过法布里-珀罗腔的调制光正、负一级边带的幅度产生不同的衰减,使得调制边带的幅度相等,从而实现对电光相位调制中剩余幅度调制的抑制。采用该方法,理论上计算了调制光经法布里-珀罗腔后的光外差光谱信号,获得锁定法布里-珀罗腔后调制边带幅度的不对称度较腔锁定前减小四个数量级。实验研究了调制光经法布里-珀罗腔透射的光外差光谱,结果表明将法布里-珀罗腔锁定于该透射光外差光谱中心零位时,对剩余幅度调制的抑制程度可达45 dB。 相似文献
8.
Yikun Bu Quan Zheng Qinghua Xue Yingxin Cheng Longsheng Qian 《Optics & Laser Technology》2006,38(8):565-568
A design of LD-pumped Nd:YVO4 laser that generates simultaneous laser action at wavelengths 1064 and 1342 nm by optimizing film design is presented. An optimized continuous-wave (cw) yellow laser at 593.5 nm in room temperature is obtained for the first time. Using type-I critical phase-matching (CPM)LBO crystal, a yellow laser at 593.5 nm is obtained by 1064 and 1342 nm intracavity sum-frequency mixing. The maximum laser output power of 85 mW is obtained when an incident pump laser of 1.8 W is used. The optical-to-optical conversion is up to 4.7%, and the power stability in 24 h is better than ±2.8%. 相似文献
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10.
We have demonstrated a compact and an efficient passively Q-switched microchip Nd:YVO4 laser by using a composite semiconductor absorber as well as an output coupler. The composite semiconductor absorber was composed of an LT (low-temperature grown) In0.25Ga0.75As absorber and a pure GaAs absorber. To our knowledge, it was the first demonstration of the special absorber for Q-switching operation of microchip lasers. Laser pulses with durations of 1.1 ns were generated with a 350 μm thick laser crystal and the repetition rate of the pulses was as high as 4.6 MHz. The average output power was 120 mW at the pump power of 700 mW. Pulse duration can be varied from 1.1 to 15.7 ns by changing the cavity length from 0.45 to 5 mm. Pulses with duration of 1.67 and 2.41 ns were also obtained with a 0.7 mm thick laser crystal and a 1 mm thick laser crystal, respectively. 相似文献