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1.
The dispersion of thoria on the surface of gamma-Al2O3 and the surface properties of ThO2/gamma-Al2O3 samples, as well as the influence of the loading amount of thoria on the reduction behavior of copper oxide species, have been studied using XRD, XPS, FTIR, and TPR. The results indicate that the dispersion capacity of thoria, like that of ceria, is much lower than for two other tetravalent metal oxides, zirconia and titania, and the surface adsorption amount of the carbonyl compound and H2O slightly increases with increasing thoria loading. The different thoria loadings can influence the reduction behavior of the dispersed copper oxide by comparing the TPR results of CuO/ThO2/gamma-Al2O3 samples. In addition, the lower dispersion capacities of thoria and ceria on gamma-Al2O3 are tentatively discussed by considering the structural stability of the two oxides.  相似文献   
2.
用同步辐射角分辨偏振紫外光电子谱对K/Ru(1010)面上吸附分子轨道的对称性测量发现:结合能在11、.2eV的CO-4a1(4σ)分子轨道对s偏振光(在沿〈1210〉的人射面)是禁戒的。结果表明由于K的强烈影响,CO的分子轨道重新排列(sP^2杂化)。依据选择定则和分子轨道的对称性6说明,sp^2再杂化的CO分子吸附的桥位取向是〈1210〉晶向。  相似文献   
3.
Three compounds based on Ge-V-O clusters were hydrothermally synthesized and characterized by IR, UV-Vis, XRD, ESR, elemental analysis and X-ray crystal structural analysis. Both [Cd(phen)(en)]2[Cd2(phen)2V12O40Ge8(OH)8(H2O)]∙12.5H2O (1) and [Cd(DETA)]2[Cd(DETA)2]0.5[Cd2(phen)2V12O41Ge8(OH)7(0.5H2O)]∙7.5H2O (2) (1,10-phen = 1,10-phenanthroline, en = ethylenediamine, DETA = diethylenetriamine) are the first Ge-V-O cluster compounds containing aromatic organic ligands. Compound 1 is the first dimer of Ge-V-O clusters, which is linked by a double bridge of two [Cd(phen)(en)]2+. Compound 2 exhibits an unprecedented 1-D chain structure formed by Ge-V-O clusters and [Cd2(DETA)2]4+ transition metal complexes (TMCs). [Cd(en)3]{[Cd(η2-en)2]3[Cd(η2-en)(η22-en)(η2-en)Cd][Ge6V15O48(H2O)]}∙5.5H2O (3) is a novel 3-D structure which is constructed from [Ge6V15O48(H2O)]12− and four different types of TMCs. We also synthesized [Zn2(enMe)3][Zn(enMe)]2[Zn(enMe)2(H2O)]2[Ge6V15O48(H2O)]∙3H2O (4) and [Cd(en)2]2{H8[Cd(en)]2Ge8V12O48(H2O)}∙6H2O (5) (enMe = 1,2-propanediamine), which have been reported previously. In addition, the catalytic properties of these five compounds for styrene epoxidation have been assessed.  相似文献   
4.
多功能器件的设计是推动新一代电磁系统发展的重要力量,而超构表面因其对电磁波的幅度、相位和极化等特性的灵活调控在多功能器件领域备受关注.传统的多功能超构表面是利用各向异性单元对相互正交的线极化波具有不同响应的特性,从而设计出适用于线极化的多功能器件.本文提出了一种缝隙加载的环I形复合超构表面单元,通过单元臂长和旋转角度的...  相似文献   
5.
应用规范不变原子轨道法(GIAO)在RHF/6-31G**和B3LYP/6-31G**水平上计算了质子化双氮桥联1,10-菲咯啉大环化合物(H4HAPP2+)C2h和C2h构型的1HNMR,并用TDDFT法计算了H4HAPP2+电子光谱.结果表明,B3LYP/6-31G*优化的C2h构型为较优构型,经谐振频率验证无虚频,C2h构型是H4HAPP2+合理的对称性构型.  相似文献   
6.
以平均粒径为19.71μm的天然微细鳞片石墨为原料,通过化学氧化法制备了具有不同氧化程度的可膨胀石墨,采用XRD、FTIR、Raman、SEM等对可膨胀石墨的结构与膨胀性进行了表征。结果表明:当氧化程度较低时制得的微细鳞片可膨胀石墨由石墨、石墨层间化合物和氧化石墨三相组成;随着氧化程度的增加,氧化石墨相含量与可膨胀石墨结构无序程度逐渐增高,石墨层间化合物相含量先增加后减少,石墨相含量则逐渐降低;氧化促使HSO4-或SO42-插入石墨层间,插入层间的HSO4-或SO42-量是决定可膨胀石墨膨胀容积的关键因素,制备的微细鳞片膨胀石墨的膨胀容积可达65.9mL·g-1。  相似文献   
7.
报道Ge在Ru(0001)表面上生长以及相互作用行为的扫描隧道显微镜(STM)和x射线光电子能谱(XPS)研究. STM的实验结果表明Ge在Ru(0001)表面的生长呈典型的Stranski_Krastanov生长模式,Ge的覆盖度小于单原子层时呈层状生长,而从第二层开始呈岛状生长. XPS测量显示衬底Ru(0001)与Ge的相互作用很弱. Ru(0001)表面的Ru 3d5/2和Ru 3d3/2芯态结合能分别处于2798和2840 eV. 随着Ge的生长,到Ge层的厚度为20个单原子层,衬底Ru 3d芯态结合能减小了约02 eV,而Ge 3d芯态结合能从Ge低覆盖度时的289 eV增加到了290 eV,其相对位移约为01 eV. 关键词: Ge Ru表面 生长 相互作用  相似文献   
8.
姚海洋  王海燕  张之琛  申晓红 《物理学报》2017,66(12):124302-124302
海洋环境中,在水下目标的线谱频率未知或者目标辐射噪声的连续谱很弱时,很难实现水中弱目标的准确检测,本文提出基于广义Duffing振子检测系统的水下目标辐射噪声检测方法.通过对传统周期扰动的Duffing振子信号检测系统的分析和推广,提出了一种可输入非周期、非平稳信号的广义Duffing振子检测系统,可检测输入的无先验信息目标信号.为实现广义Duffing振子系统运动状态的精确、有效判断,提出了一种相空间图形的离散分布列计算方法,通过类网格函数实现了利用统计复杂度对系统输出的嵌入式表征,从而实现了无先验信息时的水中弱目标的嵌入式检测.相同条件下与传统检测方法仿真对比可知,本文提出的方法可以检测到更低信噪比下的目标,并能满足水中检测实时性要求.  相似文献   
9.
樊倩  徐建刚  宋海洋  张云光 《物理学报》2015,64(1):16201-016201
采用分子动力学模拟方法, 研究了层厚度和应变率对铜-金多层复合纳米线在均匀拉伸载荷下力学性能的影响, 并分析了铜-金位错成核机理. 研究结果表明, 随着铜-金层厚度的增加, 复合材料的屈服强度也随之增大; 高应变率时复合材料的力学性能比低应变率时要强, 低应变率的塑性形变主要是位错运动和孪晶形变, 而高应变率主要以单原子运动为主, 表现出了非晶化. 该研究对制备高性能的多层复合材料提供了一定的理论依据.  相似文献   
10.
谢月红  徐建刚  宋海洋  张云光 《中国物理 B》2015,24(2):26201-026201
The effects of a twin boundary(TB) on the mechanical properties of two types of bicrystal Al thin films during the nanoimprint process are investigated by using molecular dynamics simulations.The results indicate that for the TB direction parallel to the imprinting direction,the yield stress reaches the maximum for the initial dislocation nucleation when the mould directly imprints to the TB,and the yield stress first decreases with the increase of the marker interval and then increases.However,for the TB direction perpendicular to the imprinting direction,the effect of the TB location to the imprinting forces is very small,and the yield stress is greater than that with the TB direction parallel to the imprinting direction.The results also demonstrate that the direction of the slip dislocations and the deformation of the thin film caused by spring-back are different due to various positions and directions of the TB.  相似文献   
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