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1.
本文讨论了在理想微裂纹系统中,由于微裂纹的随机性扩展,对微裂纹统计演化产生的效应。文中提供了一般的理论框架,给出了便于处理的转移概率的表达式。最后,用数值计算的例子展示了随机模型的统计演化特征,并比较了与确定性扩展模型下统计演化的异同。  相似文献   
2.
本文采用动力学演化与随机跃迁并存的模型,研究损伤断裂图型的演化规律。根据演化的终态,损伤演化可分为整体稳定(GS)和演化引起剧变(EIC)两种模式,后者联系于断裂现象。本文引入统计描述,并指出,即使微损伤的连接规律是确定性的,无序介质中断裂的出现亦应以概率分布函数描写。  相似文献   
3.
孔庆平  葛庭燧 《物理学报》1957,13(2):130-141
用扭摆作内耗测量,发现八种高铬镍合金钢中含氢可以引起内耗峰。当振动频率约为每秒1.5周时,内耗峰的巅值温度在610—640℃附近。用其中一种高铬镍合金钢试样(18Cr 12Ni)进行了系统的实验,指出这个内耗峰的基元过程是一种弛豫过程,所包含的激活能约为46,000—50,000卡/克分子。根据激活能的数值以及内耗峰在升温、降温和保温时的变化情况,可以认为这个新内耗峰是由於氢分子在钢中微扩散所引起来的。内耗测量的结果也指出了在18Cr 12Ni钢中在特定的升温、降温速度下氢分子舆氢原子的转变温度范围,所得的结果舆资料上的相合。  相似文献   
4.
本文从二元样条空间的理论出发,构造了一类新的差分格式,并利用它得到了一类自共轭椭圆型方程的样条解,并证明了这样的解的唯一性和收敛性问题.最后,给出了一个数值例子,说明了本方法是可行的.  相似文献   
5.
设计了大气激光通信信道测量系统,利用此系统在不同气象条件下进行了近地视距实验测量并采集了不同天气条件下的实验数据,详细分析讨论了所得实验数据并进行了误差分析.同时实验中获得了大量数据,为进一步完善大气激光信道模型提供了有力的依据.  相似文献   
6.
7.
柯孚久  陈雁萍  周玉美  吴京生 《物理学报》1981,30(11):1438-1447
在有弱相对论性电子时,在电子迴旋频率Ωe附近存在快x模的不稳定性。从这一事实出发,我们用准线性理论分析了具有粒子数倒转的分布函数引起的不稳定性最后达到饱和的物理机制。进行了一些近似的计算,求出了电磁迴旋不稳定性的饱和时间和饱和能量及垂直、平行分布函数随时间的演化过程。发现用此理论算出的饱和能级与观察到的AKR结果是一致的。 关键词:  相似文献   
8.
包钴型γ-Fe2O3磁粉矫顽力的研究   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
包钴型γ-Fe2O3磁粉分为包钴γ-Fe2O3(简记为Co-γ-Fe2O3)和包钴包亚铁γ-Fe2O3(简记为CoFe-γ-Fe2O3)两种,它们的矫顽力可比γ-Fe2O3磁粉的提高100至400Oe左右,本工作对这两种磁粉矫顽力增大的原因作了探讨,认为它们矫顽力增大的机制不同:CO-γ-Fe2O3矫顽力增大是由于表面包覆一层Co(OH)2使表面各向异性增大,而CoFe-γ-Fe2O3则是由于表面包覆的是钴铁氧体,γ-Fe2O3与钴铁氧体之间发生耦合作用,使矫顽力增大。  相似文献   
9.
球谐域类正则化宽带超指向性波束形成算法   总被引:1,自引:1,他引:1       下载免费PDF全文
提出一种球谐域类正则化宽带超指向性波束形成算法,通过结合超指向性波束形成器与延迟求和波束形成器控制阵列白噪声增益和指向性因数,推导类正则化宽带超指向性波束形器的球谐域表达式。在此基础上设计新的可控指向性因数波束形成器,可在不显著放大低频白噪声的前提下实现设定的波束宽度。采用32元球阵的仿真结果表明,对于语音测试场景,类正则化波束形成器的最高PESQ得分相比于传统的超指向性波束形成器与延迟求和波束形成器分别提高了约0.5和0.4,平均词错率分别减少了约9.5%和8.1%。主观测试实验也表明类正则化波束形成器在方向性噪声和扩散场噪声环境下都可以获得更好的主观听觉感受。利用实验数据对算法性能进行测试,实验结果同样验证了该方法在实际声学环境中的有效性。  相似文献   
10.
采用磁控溅射方法先在玻璃衬底上室温下沉积Zn金属薄膜,接着先后在200和400 ℃温度下的硫蒸气和氩气流中进行退火,生长出 ZnS 薄膜。薄膜样品的微观结构、物相结构、表面形貌和光学性质分别采用正电子湮没技术 (PAT)、X射线衍射仪 (XRD)、扫描电子显微镜 (SEM)和紫外-可见分光光度计进行表征。该ZnS薄膜在可见光范围具有约80%的高透光率,随着硫化时间的增加,其带隙由3.55 增加到3.57 eV,S/Zn原子比从0.54上升至0.89,薄膜质量明显得到改善,相对于以前报道的真空封装硫化所制备的ZnS薄膜,硫过量问题得到了较好解决。此外,慢正电子湮没多普勒展宽谱对硫化前后薄膜样品中膜层结构缺陷研究表明,硫化后薄膜的S参数明显增大,生成的ZnS 薄膜结构缺陷浓度高于Zn薄膜。  相似文献   
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