北京谱仪Ⅲ电磁量能器触发系统的模拟研究

利用北京谱仪Ⅲ探测器模拟和触发系统模拟程序,研究了北京谱仪Ⅲ电磁量能器的触发方案.根据物理目标设计了中性事例触发,巴巴事例判选和带电事例触发的方案,优化了各触发条件的参数,并仔细研究了对本底的排斥能力.研究了一批典型的物理道,给出了它们的触发效率,同时给出了预期的本底触发事例率.     

纳米晶软磁合金中的结构对技术磁性的影响——Ⅱ.磁弹耦合作用

对磁弹耦合在决定纳米晶软磁合金宏观磁性中的作用进行了探讨,高场磁化规律以及正电子湮没测量表明:对Fe_73.5Cu₁Nb₃Si_13.5B₉合金,准位错偶极子造成的应力场对畴壁的钉扎效应是造成纳米晶软磁合金矫顽力的重要原因;结构缺陷造成的应力场与磁致伸缩的耦合作用对纳米晶软磁性能有重要的影响.在结构各向异性和磁弹耦合能共同作用下可解释纳米晶合金表现出最佳软磁性能.     

HL—1装置等离子体密度反馈实验

本文叙述HL-1装置用反馈脉冲补充送气方式控制等离子体密度的方法及实验结果。给出了在固有的物理实验条件下的最佳反馈方式,实现了对密度的有效控制及反馈。讨论了在不同密度条件下的几种反馈方式及反馈系统尚存在的不足之处。     

非参数回归函数之改良基于分割的估计的强相合性（英）

设(X,Y),(X1,Y1),…,(XnYn)为取值于 Rd× R的 i．i．d．随机变量,E(|Y|) ＜∞．设mn(x)为回归函数m(x)=E(|Y|X=x)基于分割的估计,本文在对mn(x)进行改良的条件下得到改良的基于分割的强相合估计．     

中国莲的定量染色体图

利用MetaMorph软件定量分析了中国莲(Nelumbo mucifera Gaertn.)每条前中期染色体上(从短臂到长臂)二脒基苯基吲哚(DAPI)荧光强度的变化，结合染色体的相对长度和臂比作为辅助参数，构建了中国莲前中期染色体的定量染色体图．该定量染色体图是实际的前中期染色体的一种直观模式，可识别中国莲基因组中每条染色体以及分析染色体上的异染色质分布，为莲的细胞遗传学研究提供了一种新的方法．     

反超图的笛卡儿积的上色数

讨论反超图的笛卡儿积的着色理论 ,求出了满足一定条件的反超图的笛卡儿积的上色数 .     

利用浮区法在高氧压下生长ZnO晶须

采用浮区法在高温高氧压下生长出大尺寸的ZnO晶须. X射线衍射和拉曼光谱分析结果表明, 生长的ZnO晶须结晶良好, 具有六方结构, 沿(001)方向有明显的择优生长取向. 光致发光光谱测量结果表明, 晶须在室温下有较高的紫外光致发光效率和较低的缺陷, 生长时选择大于0.3 MPa的氧压对提高IUV/Igreen有益.     

Studies on Phase Behavior of Alkyl Polyglucoside Based on Microemulsions with Modified Fishlike Phase Diagram

The three-phase behavior in the quaternary system of an alkyl (C8/10^- or C12/14^-)polyglucoside / 1-butanol / n-octane / water has been studied at 40℃ with the modified fishlike phase diagram, which is presented by us for the first time. The mass fraction of 1-butanol in the hydrophile-lipophile balanced interfacial layer, A^S, the coordinates of the start point B and the end point E of the phase diagram, and the solubilities of alkyl polyglucoside and 1-butanol in n-octane phase were calculated. The solubilization of the microemulsion was also discussed.     

原子氧在Ru低指数面及(110),(111)台阶面上的吸附

利用原子与表面簇合物相互作用的5参数Morse势方法(简称5-MP)系统地研究了O-Ru低指数面及Ru(1120),(1121)台阶面体系,获得了吸附几何、结合能、振动频率等临界点特性,所得相关数据与实验结果非常吻合.并且通过理论计算及原子吸附态振动指纹的遗传、遗变特性预言了氧原子在Ru(1121)台阶面的吸附.本文认为氧原子在HCP晶格的金属表面上的吸附倾向于三重位.     

Finite size effect on the Raman frequency of phonons in nano-semiconductors

A comprehensive study on Raman spectroscopy with different excitation wavelengths, sample sizes, and sample shapes for optic phonons (OPs) and acoustic phonons (APs) in polar and non-polar nano-semiconductors has been performed. The study affirms that the finite size effect does not appear in the OPs of polar nano-semiconductors, while it exists in all other types of phonons. The absence of the FSE is confirmed to originate from the long-range Fr¨ohlich interaction and the breaking of translation symmetry. The result indicates that the Raman spectra of OPs cannot be used as a method to characterize the scale and crystalline property of polar nano-semiconductors.