以乙基鋰为催化剂的丁二烯阴离子聚合动力学

本工作用膨胀计研究了乙基锂在苯中聚合丁二烯的动力学,指出聚合速度对单体浓度是一级关系,对催化剂浓度是1/6—1/7级关系。聚合活化能为19千卡左右。通过气体体积色谱法测定聚合过程中未参与引发的乙基锂水解后放出的乙烷量以研究引发速度。结果指出,聚合转化率达10％左右时,将近90％的乙基锂已参与引发。此外,还研究了给电子试剂对聚合速度的影响,指出四氢呋喃能大大提高聚合速度及引发速度,三乙胺或乙醚次之,乙硫醚、苯甲醚或萘则影响不大。     

Y(Mn1-xCox)12磁结构的中子衍射分析

在研究Y(Mn_1-xCo_x)₁₂晶体结构的基础上,为了分析这种化合物的磁结构,我们挑选了不同成分的试样,在液氮温度下作了中子衍射测量。实验上测到的磁有序超结构峰可以用YMn₁₂单胞指标化为h十k+l=2n+1。使用各种可能的磁结构模型对数据进行了分析,根据计算强度与观测强度的最佳拟合,得出了Y(Mn_1-xCo_x)₁₂的磁结构随x变化的某些结论。 关键词：     

计算全息补偿法制作全息凹面光栅的改进

鉴于计算全息图可以产生一个任意形状的波面,用它作为位相补偿板来制作全息凹面光栅以适应消象差的要求比普通光学全息法更具灵活性,而且消象差波长的选择也不受制作时所用的光源光波波长所限制。本文中采用了离轴滤波及改变参考波面特性等措施,大大提高了计算全息图的空间带宽积,扩大了这一方法的使用范围。对1200l/mm的Ⅲ型及Ⅳ型凹面全息光栅进行了设计,制作及实验验证。     

电子对於原子半导体晶格的形变作用

乾根—别卡曾经分析过原子晶体中的极化子问题。文中指出,其中弹性形变的考虑是不正确的,而且“绝热型”的极化子,在例如Ge,Si等原子晶体中存在的可能性是十分微小的。以微扰论为基础的计算证明,电子引起的局部体积变化发生在半径≈λ的范围内,λ是以声速运动的电子的德布罗意波长。局部体变的数值等於E/(α+4/3μ)(E为形变势常数,α和μ分别为体变和切变模量)。局部体变还在样品中引起一个均匀的形变,两者合起来使样品体积改变E/α。具体的分析证明,在类氢的杂质能级中的电子使样品体积产生同样的体积变化。这个效应是相当大的;例如,在Ge和Si这样的晶体中,效应甚至可以舆实验所观测到Ⅲ,Ⅴ族杂质原子的体积效应相比拟。导带中低速电子能量的改变约等於(电子质量/原胞质量)(E/(kΘ_D))E;在Ge晶体中,如果E=1—10电子伏,能量改变是0.001—0.1电子伏。相应的有效质量改变是1/1000—1/10电子质量。在类氢杂质能级中,电子能量改变远比上值为小;理论上电子—晶格互作用有着可能致使类氢能级自发电离。     

Determination of Silicon in Airborne Particulate Matter By XRF and LA-ICP-MS

This study directly analyzes Si in airborne particulate matter by laser ablation inductively coupled plasma mass spectrometry(LA-ICP-MS) as well as X-ray fluorescence (XRF).     

用傅里叶变换法测试平面衍射光栅的分辨特性

本文提出了测试平面衍射光栅的分辨特性的新方法,用干涉法测量光栅衍射的波阵面的相位,得出衍射波阵面的三维波面图,并用所取得的相位数据作傅里叶变换求得其在谱面上的光谱衍射斑——光谱线像的强度分布,并可据此确定半宽度值和分辨极限.文中叙述了这一新方法的优点、基本原理和实验方法,并给出应用这方法测量一批光栅所得结果中的两个例子,结果表明,与通常所用直接扫描光谱线法所测结果相符合.     

Room-Temperature Inductively Coupled Plasma Etching of InP Using Cl2/N2 and Cl2/CH4/H2

We optimize the room-temperature etching of InP using Cl2/CH4/H2 and Cl2/N2 inductively coupled plasma reactive ions. A design of experiment is used in the optimization. The results, in terms of etch rate, surface roughness and etched profile, are presented. These Cl2-based recipes do not require substrate heating and thus can be more cost effectively and widely applied. The Cl2/CH4/H2 process is able to give a higher etch rate （about 850 nm/min） and cleaner surface with less polymer formation compared to the conventional CH4/H2 process. The Cl2/N2 process produces even higher etch rate （as high as 2μm/rain）, but rougher surface with slight sidewall undercut. The Cl2/N2 process also has no polymer formation due to the absence of methane gas. Both the processes give very good selectivity to the silicon dioxide （SiO2） etch mask. The selectivity of InP to the oxide mask （up to 55：1） for the Cl2/N2 process is one of the highest reported so far. The etched structures possess reasonably good sidewall verticality and surface quality comparable to that obtained under elevated temperature condition （〉 200℃）.     

多环氮芥化合物的研究——Ⅰ.1-羰基-2[N-双(β-取代乙基)-氨次甲基]-1, 2, 3, 4-四氢菲的合成

1-羰基-1,2,3,4-四氢菲(Ⅰ)与二乙醇胺盐酸盐及36%甲醛水溶液在95%乙醇中进行Mannich反应,除得到Mannich碱1-羰基-2-[N-双(β-羟乙基)-氨次甲基]-1,2,3,4-四氢菲盐酸盐(Ⅱ)外,还得到少量的1-羰基-2-次甲基-1,2,3,4-四氢菲(Ⅲ)及其二聚物(Ⅴ)。此反应若在无水乙醇中进行,三小时内主要生成Mannich碱(Ⅱ)。反应时间若延长至廿小时以上,剐所得主要产物为二聚物(Ⅴ)。反应若在异戊醇中进行,虽仅一小时左右,亦生成较大量的副产物(Ⅴ)。化合物(Ⅱ)极不稳定,在甲醇-水溶液中稍热即失去胺基而成Ⅲ。Ⅲ在苯溶液中,以5%鈀-炭为催化剂,很顺利地氢化成1-羰基-2-甲基-1,2,3,4-四氢菲(Ⅳ)。Ⅲ的二聚物(Ⅴ)与羟氨盐酸盐不形成肟。Ⅰ与多聚甲醛在乙醇钠催化作用下缩合,形成2,2'-次甲基-双(1-羰基-1,2,3,4-四氢菲)(Ⅵ),此物经证明与Ⅴ有区别。Ⅰ与氮芥盐酸盐及36%甲醛水溶液在乙醇中反应生成1-羰基-2-[N-双(β-氯乙基)-氨次甲基]-1,2,3,4-四氢菲盐酸盐,由此可得相应的游离胺(Ⅶ)。     

Ⅷ.O-乙基N,N-二乙氨基一(或二)硫代磷酸钠的制备及其化学反应

1.本文报告以O-乙基N,N-二乙氨基硫代磷酰氯(Ⅲ)为原料,合成O-乙基N,N-二乙氨基一(或二)硫代磷酸钠(Ⅰ)、(Ⅱ)的方法。2.Ⅰ和Ⅱ分别与卤代烷反应,得到相应的酯(Ⅴ),(Ⅵ)。Ⅰ和Ⅱ在低温下用稀盐酸酸化则转化成相应的酸(Ⅶ)和(Ⅷ),后者分别与碘乙烷、重氮甲烷、环己胺等作用得到相应的酯(Ⅸ)和铵盐(Ⅺ)。3.Ⅱ与卤素(溴或碘)反应形成二硫化物(Ⅻ),后者与等量氯反应得到磷酰氯(Ⅲ)。     

三級苯甲酸酯溶離反應中溶劑干預之動力學證據

Rates of solvolyses of 2-（4-methylphenyl）-2-propyl benzoate （2b）, 2-（4-methylthiopheny1）-2-propyl benzoate （3b） and 2,2-dimethy1-1-（4-methoxypheny1）-1-phenyl-1-propy1 benzoate （4b） were measured, respectively, in ten or more different solvent systems. Additional YBnOPXB and Y, BnOPNB values in binary trifluoroethanol-water systems were determined, Grunwald-Winstein type correlation analysis showed that YBaIOBB values were applicable to benzylic benzoates. The rate ratio, koPNB/KOBZ, was found to be solvent-dependent in the range of 29 for 4 in ethanol to 4 for 2 in trifluoroethanol-water. Non-limiting mechanism, including both nucleophilic and electrophilic solvent assistance, in the solvolysis of 2b was discussed,