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选用微米级商业硅铝合金粉末作为原料,采用酸刻蚀、光沉积和后续的还原过程制备了 CoO_x纳米片原位包覆的多孔硅复合材料。探究了不同光沉积时间对pSi@CoO_x材料形貌及其储锂性能的影响。CoO_x纳米片的引入有效改善了材料的导电性并提高了材料的结构稳定性,即使在1 A·g~(-1)的电流密度下循环200圈后,pSi@CoO_x-5的比容量仍能保持774.2 mAh·g~(-1)。 相似文献
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