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1.
光束发散度对紫外写入光纤光栅的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
李琳  赵岭  高侃  黄锐  方祖捷 《光学学报》2002,22(6):49-752
用傅里叶衍射光学分析了准分子激光束发散度对于光纤光栅制备的影响,发现光束发散角使光纤光栅的布拉格波长发生改变,相位版后干涉场沿光纤轴向和径向不均匀,对制备30dB高反射率光纤光栅造成困难。实验结果与理论分析基本一致,相对于理想平行光束情况,会聚光束使得光纤光栅布拉格波长出现在短波一边,发射光束使得光纤光栅布拉格波长出现在长波一边。  相似文献   
2.
对甲基苯基三甲硅基醚;二氯二苯砜;二(氯甲酰基苯氧基)二苯砜;合成  相似文献   
3.
综述了近年来C60及其卤化衍生物在阴离子聚合中的研究进展。在阴离子聚合中,C60可以直接与反应而进入主链,形成超枝化结构;C60可作为阴离子聚合的偶联剂,形成星形和线形结构;C60阴离子可以引发阴离子聚合。介绍了偶联产物结构控制的方法,以及偶联产物的稳定性。氯化富勒烯也可以作为阴离子聚合的偶联剂,生成星形结构聚合物。  相似文献   
4.
对聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)在特定的结晶条件下是否生成伸直链晶体进行了论证,系统总结了伸直链晶体形成的证据,并讨论了PET伸直链晶体形成的机理。  相似文献   
5.
 大尺寸聚合物伸直链晶体在低维体系物理学的研究中具有不可替代的重要作用。但以往高压合成的聚合物伸直链晶体,尺寸较小且合成时间过长,使其作用至今未能显现。加入10%(质量分数)聚碳酸酯(PC)于聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)中,在研究PET/PC共混体系高压结晶行为的过程中快速合成了大量生长厚度超过100 μm 的聚合物伸直链晶体,并采用扫描电子显微镜对其进行了深入研究。研究表明,高压结晶PET/PC共混体系中存在不同类型的大尺寸伸直链晶体:完善的伸直链晶体、沿平行或垂直于C轴方向发生断裂的伸直链晶体、内聚能密度较大而发生内聚破裂的伸直链晶体、不同断裂方式下呈不同形态的楔形状伸直链晶体以及弯曲的伸直链晶体。同时对不同形态伸直链晶体的形成机理作了阐述。  相似文献   
6.
建立了基于微波辅助-顶空液相微萃取在线联用、高效液相色谱法测定水样中邻硝基苯酚的分析方法。采用L16(45)正交实验设计对影响萃取的各种因素,如萃取有机溶剂、微波辐射功率、萃取时间、离子强度、样品液体积,进行了优化。优化后萃取条件为,以乙酸丁酯作为萃取溶剂,功率和时间分别为100W和12min条件下,离子强度为0的样品溶液体积为20mL。在优化萃取条件下,邻硝基苯酚的检出限LOD(S/N=3)为0.94μg/L,萃取富集倍数为30,实际水样的加标回收率为85.2%。理论分析和实验结果表明,微波辅助-顶空液相微萃取在线联用方法具有简便、快速、高效、节省溶剂、选择性好、应用范围广的特点。  相似文献   
7.
8.
用SiCl4-H2低温沉积多晶硅薄膜微结构的Raman分析   总被引:5,自引:0,他引:5       下载免费PDF全文
关键词:  相似文献   
9.
利用等离子体增强化学气相沉积法制备Si-rich SiNx/N-rich SiNy多层膜,分别使用热退火和激光辐照技术对多层膜进行退火,以构筑三维限制、尺寸可控、有序的硅纳米晶.实验结果表明,经退火后,纳米硅晶粒在Si-rich SiNx子层内形成,其尺寸可由Si-rich SiNx子层厚度调控.实验还发现,激光辐照技术相比于热退火能更有效地改善多层膜的微结构,提高多层膜的晶化率,以激光技术诱导晶化的Si-rich SiNx/N-rich SiNy多层膜作为有源层构建电致发光器件,在室温下观察到了增强的电致可见发光,并且发光效率较退火前提高了40%以上. 关键词: 氮化硅 多层膜 限制结晶 纳米晶硅  相似文献   
10.
利用强流脉冲电子束(HCPEB)装置对金属纯Ni进行轰击,采用X射线衍射及透射电子显微镜(TEM)技术详细分析了受轰击样品的变形结构和缺陷。X射线衍射分析表明,经强流脉冲电子束处理后,在{111}和{200}晶面出现了择优取向。TEM表层微观结构分析表明:强流脉冲电子束轰击1次和5次后,晶粒内部形成了大量的(111)[112]型波状条带结构,在波状条带内部包含大量平行的(200)[110]型微条带;10次轰击后,样品变形结构发生变化,除大量的条带状结构外,变形孪晶的数量明显增多。这些变形微结构不仅影响表层的织构演化行为,而且还能细化晶粒,强流脉冲电子束技术为制备表面纳米材料提供了一条有效的途径。  相似文献   
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