低维金属固体化合物的能带结构及化学键研究──（Ⅰ）低维固体的离域d－pπ键与导电性

通过对一系列层状及链状金属化合物能带结构的计算和理论分析，指出其分子结构的低维性是导致金属原子与主族桥原子间离域ｄ－ｐπ键的存在的主要原因，并阐述了其所形成的ｄ－ｐπ（π）能带的性质。通过对该能带的研究，建立了以ｄ电子数判断固体导电性的简便方法，阐明了电荷转移现象及其对导电性的影响，并指出了ｄ电子巡游性的本质。     

低维金属固体化合物的能带结构及化学键研究──（Ⅱ）键向量近似法及低维固体π能带的简化计算

通过复平面向量的关系，提出了一种固体π能带的简化计算方法。这种方法不仅极大地简化了固体能带通常所需的复杂计算，而且轨道的成键性质十分明确。本方法用于链状固体ＰｔＳ_２~（２－）及六方平面网状结构的π能带计算，其能带结构及定性结论与用紧束缚ＥＨＴ法计算的结果完全一致。