聚磷钼酸/乙炔黑修饰电极上乙萘酚的电化学行为及测定

制备了聚磷钼酸/乙炔黑修饰电极(PMA/AB/GCE),用循环伏安法(CV)研究了乙萘酚(EN)在该电极上的循环伏安行为。在pH 5.5的HAc-NaAc缓冲液中,EN在该修饰电极上出现一明显的氧化峰。在60~300 mV/s扫速范围内,其氧化峰电流(I pa)与扫速平方根(v1/2)呈线性关系,表明该电极过程是受扩散控制的不可逆过程。计算电极过程的部分动力学参数:电极有效面积为0.122 cm2,质子数与电子数均为1,扩散系数为D为9.64×10-5cm2/s。运用方波伏安法测定不同浓度EN的方波伏安曲线,结果表明氧化峰电流与EN浓度在9.0×10-7~1.0×10-4mol/L范围内呈良好线性关系(r=0.992),检出限(S/N=3)为6.35×10-7mol/L,加标回收率为92.8%~102.8%。     

双氯芬酸钠在石墨烯和室温离子液体复合修饰电极上的电化学行为及其测定

运用循环伏安法研究了双氯芬酸钠(DS)在石墨烯(Gene)和室温离子液体1-丁基-3-甲基咪唑六氟磷酸盐(BMIMPF6)复合修饰电极上的电化学行为。DS在该复合电极上于0.65V处有一不可逆氧化峰。在40～200 mV/s范围内,其氧化峰电流与扫描速率平方根(v1/2)呈良好线性关系,表明电极过程是受扩散控制。测定了部分电极过程参数,优化了方波溶出伏安法(SWSV)的实验参数,DS浓度在1.0×10-7～1.0×10-4mol/L范围内与峰电流Ipa呈良好线性关系,检出限为8.0×10-8mol/L(S/N=3),加标回收率为95.7%～101.7%。     

氧氟沙星在乙炔黑修饰电极上的电化学行为及测定

本文制备了一种乙炔黑修饰电极,研究了氧氟沙星(OFL)在该修饰电极上的循环伏安行为。结果表明,在pH=5的PBS缓冲液中,氧氟沙星在该修饰电极上出现一不可逆的氧化峰,在40～360 mV/s扫速范围内,氧化峰电流与扫速呈线性关系,表明该电极过程受吸附控制。计算了电极过程的部分动力学参数:反应电子数为2,电极有效面积为0.067 cm2。讨论了修饰剂用量、缓冲液种类、溶液pH值对测定的影响。用方波溶出伏安法对OFL进行测定,在2.5×10-6～2.5×10-4mol.L-1的浓度范围内与氧化峰电流(Ipa)呈线性关系,Ipa(μA)=-1.6148+0.2169c(10-6 mol.L-1),相关系数为0.9951,检出限为1.332×10-7 mol.L-1,回收率为90.40%～101.06%。     

磷钨酸/乙炔黑修饰电极上的阿昔洛韦电化学行为及其测定

本文制备了磷钨酸/乙炔黑修饰电极(PTA/AB/GCE),用循环伏安法(CV)研究了阿昔洛韦(ACV)在该修饰电极上的循环伏安行为。结果表明在pH 6.0的磷酸盐缓冲液中,ACV在该修饰电极上出现一明显的氧化峰。在60～220mV.s-1扫速范围内,其氧化峰电流(Ipa)与扫速平方根(v1/2)呈线性关系,表明该电极过程是受扩散控制的不可逆过程。计算了电极过程的部分动力学参数:电极有效面积为0.06902cm2,转移电子数为2,扩散系数为2.063×10-6cm2.s-1。运用方波溶出伏安法测定不同浓度ACV的方波溶出伏安曲线,结果表明氧化峰电流(Ipa)与ACV浓度在7.8×10-7～1.0×10-4mol.L-1范围内呈良好线性关系(r=0.9924),检出限(S/N=3)为3.1×10-7mol.L-1,加标回收率为95.69%～107.2%。     

乙炔黑修饰电极上吡虫啉的电化学行为及测定

制备了乙炔黑修饰电极(AB/GCE),并用循环伏安法(CV)研究了吡虫啉(IDP)在该修饰电极上的循环伏安行为。在pH 9.0的NH3.H2O-NH4Cl缓冲液中,IDP在该电极上出现一不可逆的还原峰。在20～240mV/s扫速范围内,其还原峰电流(Ipc)与扫速平方根(v1/2)呈线性关系,表明该电极过程受扩散控制。计算了电极过程的部分动力学参数:电极有效面积为0.0635cm2,转移电子数为2,扩散系数为3.793×10-3cm2/s。运用方波伏安法测定不同浓度IDP的方波伏安曲线,还原峰电流Ipc与IDP浓度在7.0×10-7～8.0×10-5mol/L范围内呈良好线性关系(r=0.9975),检出限为2.29×10-7mol/L,加标回收率为93.5%～105.3%。     

茶碱在石墨烯/磷钨酸修饰电极上的电化学行为及测定

采用滴涂法制备了石墨烯/磷钨酸修饰电极(GO-PTA/GCE),运用循环伏安法研究了茶碱(THEO)在该修饰电极上的电化学行为,并讨论了修饰剂石墨烯和磷钨酸的配比及用量、底液种类及浓度、扫速对其测定的影响。运用交流阻抗法研究修饰前后电极表面的特性。结果表明,在0.02 mol/L H2SO4溶液中,THEO在该修饰电极上于1.185 V出现一不可逆氧化峰,且在100~800 mV/s范围内,其峰电流与扫速平方根(v1/2)呈线性关系,表明该电极过程为受扩散控制的不可逆过程。THEO在该修饰电极上的电子转移数n=1,有效面积A=0.116 9 cm2,扩散系数D=6.675×10-5cm2/s。在优化实验条件下,采用差分脉冲伏安法对THEO进行定量测定,发现THEO的峰电流与其浓度在6.0×10-7~1.0×10-4mol/L范围内呈良好的线性关系,检出限可达5.5×10-7mol/L。采用该法对水样中THEO进行检测,回收率为92.6%~106.3%。     

对乙酰氨基酚在石墨烯和离子液体复合修饰电极上的电化学行为及其测定

制备了石墨烯和疏水性离子液体1-丁基-3-甲基咪唑六氟磷酸盐(BMIMPF6)复合修饰电极(Gene-BMIMPF6/GCE),运用循环伏安法研究了对乙酰氨基酚(PT)在该复合修饰电极上的电化学行为。结果表明,在pH=6.5的磷酸盐缓冲溶液中,PT在复合修饰电极上出现一对明显的氧化还原峰,在20～260mV/s的扫描速率范围内,其氧化还原峰电流均与扫描速率平方根(v1/2)呈线性关系,表明该电极过程是受扩散控制的。优化了方波溶出伏安法(SWSV)的实验参数,PT浓度在6.0×10-7～8.0×10-5mol/L范围内与峰电流Ipa呈线性关系,检出限(S/N=3)为1.0×10-7 mol/L。采用该法对PT进行加入回收测定,回收率为96.9%～101.2%。     

超氧化物歧化酶在纳米金/L-半胱氨酸修饰金电极上的电化学行为

通过L-半胱氨酸将纳米金修饰到金电极上,把超氧化物歧化酶(SOD)固定在修饰电极表面,制备了SOD-纳米金/L-半胱氨酸修饰电极。运用交流阻抗法、循环伏安法等方法表征了该电极,发现SOD在该电极上于0.15V和-0.05V左右产生较明显的氧化还原峰,在0.04～0.24V/s扫描速率范围内,其还原峰电流与扫描速速呈线性关系,表明该电极过程受吸附控制。研究了H2O2对SOD-纳米金/L-半胱氨酸修饰电极伏安行为的影响,发现该电极的还原峰电流与H2O2浓度在1.0×10-6～2.0×10-4mol/L范围内呈良好的线性关系,相关系数为-0.996,可用于对H2O2的分析检测。