GaAs/AlGaAs量子阱材料的X射线形貌及其发光性能

本文介绍了用X射线双品形貌术研究MBE生长的GaAs/AlGaAs量子阱材料中的生长缺陷、位错及其对发光性能的影响。同时研究了低温下MBE生长的GaAs/AlGaAs量子阱材料的正交方向的位错。在有应变超品格过渡层高温生长的量子阱材料中,位错及光致发光性能有明显的改善。     

硬X射线位相衬度成象

常规X射线成象技术是建立在吸收衬度和几何光学基础上.介绍了“in-line”位相衬度成象 技术和成象理论.以生物样品为例,说明常规X射线吸收衬底成象与位相衬度成象的差别,并 对X射线源尺寸对成象衬度的影响进行了研究.此外,对吸收衬底象和位相衬度象的关键参量 进行了计算模拟和讨论. 关键词： 位相衬度 成象 硬X射线     

热处理引起3C-ZnS结构转变的X-射线衍射分析

为了论证层错是硫化锌晶体中交流电致发光的一个必要条件,我们把3C-ZnS单晶体在1100℃热处理后引入了层错.同时,我们对热处理前后的结构,用劳埃背反射法和文献[8、13]推导的公式进行了分析.结果表明,沿3C-结构<111>四个等价方向都可以产生无序、孪晶和2H-结构,而且当热处理时间足够长时,结构转变趋向于一个<111>方向.这些实验结果,在有关的文献中尚未见到.     

ZnS晶体3C⇔2H结构转变的LAUE衍射图中“奇异点”的标定

在ZnS晶体3C⇔2H结构转变的X—射线Laue衍射分析中,为了解释一维无序造成的异常衍射现象,本文推导了Laue衍射图曲线晶带的“奇异点”计算公式。并应用此公式,计算了ZnSLaue衍射照片上数条晶带上的“奇异点”,计算值与实验值完全吻合。另外,本文还对“奇异点”的形成、特点、标定的意义以及计算公式适用范围进行了讨论。     

Sr2B5O9Cl发光材料X射线粉末衍射数据的测定

用衍射仪收集了Sr2B5O9Cl发光材料的X射线粉末衍射图谱(CuKα),给出了d值大于0.8247的173条衍射线的衍射数据和指标。验证了Peters所给的46条衍射线,补充了其遗漏的9条较弱衍射线和高角度118条衍射线。确认Sr2B5O9Cl多品粉末发光材料属四方晶系,空间群是P42212,晶胞参数α=11.362,c=6.500。     

GaAs/AlGaAs分子束外延材料的X射线双晶形貌观察

本文介绍了用非平行非对称(+、-)双晶X射线形貌术研究Ⅲ—Ⅴ族化合物外延晶体的设置和原理。分析了外延后形成的弯曲样品造成的衍射效应。对分子束外延(MBE)法生长的GaAs/AlGaAs衬底和外延层分别进行了X射线形貌术观察。讨论了外延层中存在的失配位错、生长小丘、沾污和局部微差取向等缺陷。对位错的组态和来源进行了初步分析。本实验结果也表明,有应变超晶格过渡层的MBE法对生长优质的GaAs/AlGaAs外延片是有利的。     

Nd:YAG晶体点阵参数相对变化的研究——X射线双晶形貌法

应用X射线双晶形貌法测定了Nd∶YAG晶体中生长条纹之间点阵参数的相对变化。为解释这种变化,本文从理论上推导了Nd∶YAG晶体中点阵参数变化和Nd~(3+)浓度变化的关系式:△a=0.5089△γ,式中△γ为晶体中钕浓度的变量。把实验中测得的△a=0.0021～0.0027(?)代入公式,得知钕离子浓度变化为0.41～0.53wt.％。因此,我们认为Nd∶YAG晶体中Nd~(3+)的不均匀分布是形成生长条纹的主要原因。