高效完成外专业高分子化学教学任务的思考与对策

在充分分析外专业学生的知识结构以及高分子化学知识体系的基础上,提出了一种以高分子化学实验为平台,课上教学与现场实践教学相结合,共同完成外专业高分子化学教学任务的新方法。教学实践结果表明该方法不但有效解决了外专业高分子化学课时少与课程教学内容多的矛盾,而且通过现场实践教学使学生在动手实践中充分体会到了高分子化学的理论知识在日常生活中的重要作用,做到了学与用相结合、理论与实践相结合、课上学习与课下学习相结合。该教研成果为高效完成外专业高分子化学教学任务提供了新思路。     

通过不同烷基链取代调控喹吖啶酮分子在Ag(110)表面上的自组织结构

采用低能电子衍射、扫描隧道显微镜、第一性原理密度泛函理论计算以及分子力学计算,分别对不同烷基链取代的喹吖啶酮(QA)分子在Ag(110)基底上的吸附和生长进行了研究.QA和Ag基底的相互作用主要来自分子中O原子和Ag基底的共价键,它决定了分子的取向和最优吸附位置;而烷基链决定了分子吸附层的取向,QA分子间的排列可以通过烷基链的长度来调节.由此借助调节烷基链的长度,能够可控地制备具有不同物理性质的单层分子薄膜.     

纳米电子学的最新进展

文章介绍了纳米电子学在自组织生长、器件构造和电学／光学器件应用等方面的最新进展，其中包括：利用流体或极性分子实现了纳米线／管的定向排列；用此方法制成了纳米线逻辑电路和新型纳米线／带薄膜晶体管；研制成功可进行高密度信息存储的单分子层面纳米线交叉电路；进行了半导体CdS纳米线电泵激光和碳纳米管电致发光研究．此外，还对自旋电子学的研究进展进行了简要介绍，对纳米电子学的研究与发展方向提出了建议。     

吸附位置对分子近藤效应的影响

文章报道了利用低温扫描隧道显微镜观察到磁性分子酞菁铁(iron phthalocyanine,FePc)在金属表面Au(111)上的近藤效应(Kondo effect).从实验上观察到两种由近藤效应引起的不同的Fano共振现象.通过理论模拟和分析,文章作者发现这两种Fano共振分别对应于不同的分子吸附位置.吸附位置不仅影响Fano共振的线型,而且还影响自旋电子的耦合强度,是调控金属表面磁性杂质自旋态的重要途径.     

吸附位置对分子近藤效应的影响

文章报道了利用低温扫描隧道显微镜观察到磁性分子酞菁铁（iron phthalocyanine, FePc）在金属表面Au(111)上的近藤效应（Kondo effect）.从实验上观察到两种由近藤效应引起的不同的Fano共振现象.通过理论模拟和分析,文章作者发现这两种Fano共振分别对应于不同的分子吸附位置.吸附位置不仅影响Fano共振的线型,而且还影响自旋电子的耦合强度,是调控金属表面磁性杂质自旋态的重要途径.     

用于纳米体系电学及电光性质测量的原子分辨的四探针扫描隧道显微镜

本文介绍一套超高真空环境下的四探针扫描隧道显微镜。每个探针均可以独立的在纳米尺度上精密移动并可以进行扫描显微。此系统可以容易地操纵低维纳米体系并用四探针技术测量其电学性质。仪器可以进行不同温度（30~500开尔文）、不同磁场强度（0~1000高斯）、不同环境气氛的测量，同时还可以获得样品的阴极发光谱。对一些纳米线的试验的结果显示此系统是一个在纳米尺度探索电子输运性质的强有力的工具。     

大型飞机起落架载荷修正方法研究

大型飞机起落架静强度试验中,起落架受载变形后载荷施加点位置移动引起加载力线改变,从而带来加载误差.为提高起落架变形后加载的准确度,基于撬杠施加起落架载荷传统技术,提出载荷修正方法.该修正方法主要步骤为起落架实际施加载荷与理论载荷的转换.通过对撬杠施加起落架载荷力学模型进行分析,推导得到转换公式,使用该公式对理论载荷进行...     

纳米电子学的最新进展

文章介绍了纳米电子学在自组织生长、器件构造和电学/光学器件应用等方面的最新进展,其中包括:利用流体或极性分子实现了纳米线/管的定向排列;用此方法制成了纳米线逻辑电路和新型纳米线/带薄膜晶体管;研制成功可进行高密度信息存储的单分子层面纳米线交叉电路;进行了半导体CdS纳米线电泵激光和碳纳米管电致发光研究.此外,还对自旋电子学的研究进展进行了简要介绍,对纳米电子学的研究与发展方向提出了建议.     

通过不同烷基链取代调控喹吖啶酮分子在Ag(110)表面上的自组织结构

采用低能电子衍射、扫描隧道显微镜、第一性原理密度泛函理论计算以及分子力学计算，分别对不同烷基链取代的喹吖啶酮（QA）分子在Ag（110）基底上的吸附和生长进行了研究．QA和Ag基底的相互作用主要来自分子中0原子和Ag基底的共价键，它决定了分子的取向和最优吸附位置；而烷基链决定了分子吸附层的取向，QA分子间的排列可以通过烷基链的长度来调节．由此借助调节烷基链的长度，能够可控地制备具有不同物理性质的单层分子薄膜．     

Z衬度扫描透射电子显微术的前沿进展

文章介绍了Z衬度扫描透射电子显微术(Z-scanning transmission electron microscopy，Z-STEM，Z为原子序数)的最新进展：Z-STEM可以直接“观察”到晶体中原子的真实位置，Z衬度图像的分辨率在经过球差校正后可达0．6A；在利用Z衬度成像技术对材料的阴极荧光(cathodoluminescence，CL)性质的研究中，首次观察到了“死层”(dead layer)的存在．然后，文章以半导体与结晶氧化物界面结构、Al72Ni20Co8十角形准晶结构以及SrTiO3晶界结构为例，具体介绍了Z衬度成像在测定物质结构与化学组成方面独特的优势。