基于Gd掺杂Ce纳米材料的制备及其电化学应用

采用水热合成法制备了Ce1-xGdxO(4-x)/2系列纳米复合材料,应用X射线光电子能谱(XPS)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)和X射线光谱仪(XRD)对纳米粉体进行表征。结果表明该产物为棒状材料,直径约为20 nm,表现为典型Ce O2的立方萤石结构,由XPS结果可见Gd完全掺杂到氧化铈中。将上述材料与壳聚糖混合修饰于玻碳电极表面,构建了一个新型的纳米复合材料无酶传感器。采用循环伏安法和I~t曲线法对该传感器的电化学行为进行研究。结果表明,Ce0.9Gd0.1O1.95-CHIT/GCE修饰电极表现出较灵敏的电化学响应。在最佳实验条件下,修饰电极对H2O2测定的线性范围为1.0×10-5~1.1×10-2mol/L,检出限(S/N=3)为1.7×10-6mol/L。该传感器制备简单、成本低,灵敏度虽然不理想,但为复合纳米材料在电化学领域中的应用开辟了新的思路。