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1.
^241Am激发的能量色散X荧光在重稀土分离检测中的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
建立了一种241Am作激发源,高纯锗作探测器的能量色散X射线荧光(EDXRF)快速分析方法,并离线分析了含Ho、Y、Er、Tm的重稀土分离过程中槽体盐酸盐水溶液的稀土组成。该方法除作了适当简化外,还优化选择了分析线,并引入吸收函数校正吸收。结果表明:该法在稀土浓度介于01~300g/L的范围内分析相对误差小于5%,能满足重稀土分离中在线分析的要求。 相似文献
2.
应用双中心的原子轨道强耦合方法研究了He^2+-He碰撞中的电荷转移过程,计算了随入射离子能量变化的单电子俘获总截面及各个次壳层的态选择截面,并与其它理论结果和实验结果进行了比较,发现我们的理论结果与实验很好的符合.针对中国科学院近代物理研究所最近的实验测量,我们也计算了电荷转移过程的微分截面. 相似文献
3.
巧妙的解题思路,从具体问题来说,它来自问题的特殊性被得到彻底的揭示.因为只有揭示了问题的特殊性,才能得到未知向己知、生疏向熟悉、条件向结论的转化途径,而转化就是解题.数学问题的特殊性突出表现在“数值特征、结构关系、图像信息”三个方面,挖出它们是快速找到解题途径、巧妙解题的关键!下面举例说明. 一、挖“结构关系” 例1 以线段AB为直径作一个半圆,圆心为O,C为半圆周上的点,有OC2=AC·BC.则∠CAB=(). 简析画图有两种可能,如图1、图2. OC2=AC·BC中,“AC·BC”视为 Rt△ABC 相似文献
4.
5.
6.
该文用NMR方法研究暗霉素T的化学结构.从1D谱和几种2D技术确认了暗霉素T是氨基糖苷类化合物.讨论了化合物的构型,并通过改变溶剂推断了氨基的连接位置. 相似文献
7.
Hydrogen ions were implanted into separation by implantation of oxygen (SIMOX) silicon-on-insulator (SOI) wafers near the oxygen-implantation-induced damage peak under different conditions of energy and dose. It was found that the implanted hydrogen ions not only accelerate the diffusion of oxygen atoms from the annealing ambience into the wafer but also cause an outward diffusion of oxygen atoms in the buried oxide (BOX) layer. Thus, greatly broadened buried oxygen-rich (BOR) layers were formed in our experiments, which are 18%-79% broader than the BOX layer of standard SIMOX SOI wafers under the same conditions of oxygen implantation. The mechanism was discussed. A potential low cost method to fabricate SIMOX SOI wafers is proposed. 相似文献
8.
本文使用变分方法证明了三维标准切触球的标准勒让德扭结,至少存在一个弦连结适应于标准切触结构的任何选定切触形式,这部分证明了著名的阿诺德弦猜想。 相似文献
9.
Nd:GdVO4单晶的生长、位错和形貌 总被引:4,自引:1,他引:3
用提拉法生长出掺钕钒酸钆(Nd:GdVO4)单晶,并且采用化学浸蚀法在偏光显微镜下观察了位错蚀坑,测定了(100)面晶体位错密度为600个/mm^2。观察了不同提拉方向的晶体生长形貌,可采用简单光学方法确定晶体方向。 相似文献
10.
报道Ar^q Ne(q=8,9,11,12)碰撞体系中多电子转移过程,得到了多组实验测量电荷交换截面数据,讨论入射离子电荷交换截面、反冲离子产生截面与入射离子电荷态、能量以及散射离子电荷态的关系,并且将实验结果与Ar^q Ar碰撞体系进行对比研究。在修正分子库仑过垒模型的基础上,对实验现象做了合理的解释。 相似文献