碳酸铈分解制备CeO_(2-x)的氧空位特征及其紫外-可见光吸收光谱研究

研究碳酸铈在500, 700和900℃H_2中分解形成的CeO_(2-x)氧空位特征,并对比考察了碳酸铈在700℃空气和N_2中的分解过程,结果显示:随着温度的升高,分解获得的CeO_(2-x)颗粒尺寸增加且表面有"烧结"现象出现;另外在H_2中制备的CeO_(2-x)氧空位浓度随着温度的增加而增加,相同分解温度下, H_2中分解获得的CeO_(2-x)的氧空位浓度较在空气和N_2中制备的样品高。不同温度H_2条件下制备的CeO_(2-x)样品的紫外-可见光吸收光谱表明,随氧空位浓度的增加CeO_(2-x)的响应光谱发生红移。     

13N超高纯锗单晶的制备与性能研究

13N超高纯锗单晶是制作超高纯锗探测器的核心材料。本文通过还原法获得还原锗锭,再由水平区熔法提纯获得12N高纯锗多晶,最后由直拉法生长得到13N超高纯锗单晶。通过低温霍尔测试、位错密度检测、深能级瞬态谱(DLTS)测试对13N超高纯锗单晶性能进行分析。低温霍尔测试结果显示,晶体头部截面平均迁移率为4.515×10⁴ cm²·V^-1·s^-1,载流子浓度为1.176×10¹⁰ cm^-3,导电类型为p型,位错密度为2 256 cm^-2;尾部截面平均迁移率为4.620×10⁴ cm²·V^-1·s^-1,载流子浓度为1.007×10¹⁰ cm^-3,导电类型为p型,位错密度为2 589 cm^-2。晶体深能级杂质浓度为1.843×10⁹ cm^-3。以上结果...