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采用等离子体化学气相沉积(PECVD)方法在不锈钢柔性衬底上制备了不同厚度的硅基p+/n+隧穿结,应用于非晶硅/微晶硅叠层太阳电池,分析了其对太阳电池电学和光学特性的影响.发现p+层厚度增加后,电池的开路电压提高,短路电流密度减小;随着n+层厚度的变化,电池的短路电流密度和填充因子均存在一个最佳值.将优化后的p+/n+隧穿结分别应用于不锈钢衬底和聚酰亚胺衬底的非晶硅/微晶硅叠层太阳电池,分别获得了9.95;(AM0,1353 W/m2)和9.87;(AM0,1353 W/m2)的光电转换效率. 相似文献
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用电沉积法制得Cu2xIn2-2xSe2(铜铟硒)(0[1]并用EDAX对其组成进行分析。对薄膜电极的光电化学性能、光谱响应、能隙与x的依赖关系进行了研究。借助于现场微区扫描光电流谱观察了热处理、薄膜厚度、光极化对薄膜电极的光电性能影响。研究了Pb(NO3)2有效的浸渍对薄膜光电性能的影响。 相似文献
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本文针对GaAs/Ge太阳电池,利用位移损伤剂量法研究了其在轨服役条件下的性能退化行为.首先在地面模拟辐照环境中,试验获得了在不同能量的电子和质子辐照下的电池性能随辐照注量的退化行为.基于上述实验结果以及计算获得的带电粒子在电池中的非电离能量损失(NIEL)获得了不同能量电子辐照位移损伤的等效指数n为1.7,电子损伤剂量转化为质子损伤剂量等效系数为5.2,并进一步建立了电池性能随位移损伤剂量的退化方程.利用该方法对国产GaAs/Ge太阳电池在500,22000和36000 km轨道带电粒子辐
关键词:
GaAs/Ge太阳电池
辐照损伤
带电粒子
位移损伤剂量 相似文献
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阳极氧化制备TiO2纳米管及其光催化性能 总被引:1,自引:0,他引:1
采用电化学阳极氧化法在纯Ti表面制备出结构整齐有序的TiO2纳米管阵列, 研究了不同溶液体系对TiO2纳米管尺寸和形貌的影响. 利用X射线衍射仪和场发射扫描电镜表征所制备的TiO2纳米管. 20 V反应15 h, 0.5 wt% HF+1 mol/L (NH4)H2PO4溶液中TiO2纳米管直径为70~90 nm, 长度约2.2 μm, 在500 ℃的空气气氛下退火1 h, 纳米管薄膜以锐钛矿结构为主, 在该条件下所制备TiO2纳米管的光电流密度达到3.2 mA/cm2. 以该纳米管薄膜为光阳极, 施加0.45 V (vs. SCE)的外加偏压, 在125 W紫外光照射5 h后, 初始摩尔浓度为20×10-6 mol/L的酸性红G (C18H13N3Na208S2)在pH=3时, 降解率达到92.4%. 相似文献
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报道了对p-n型 GaInP2/GaAs叠层太阳电池的研究结果.采用低压金属有机物化学气相沉积工艺制备电池样品.通过对GaInP2顶电池中场助收集效应的计算机模拟,提出用p+p-n-n+结构取代常用的p+n 结构,显著改善了GaInP2顶电池和GaInP2/GaAs叠层太阳电池的光伏性能,使其光电转换效率(Eff)分别达到14.26% 和23.82% (AM0, 25℃, 2×2cm2).
关键词:
场助收集效应
镓铟磷
砷化镓
叠层太阳电池 相似文献
7.
通过对微晶硅太阳电池量子效率的测量,结合微区拉曼光谱和电学特性测试,讨论了本征层的硅烷浓度和等离子体辉光功率对太阳电池量子效率的影响.发现本征层硅烷浓度增加时,电池的长波响应变差,材料结构由微晶相演变成非晶相;等离子体辉光功率的增加造成了电池短波响应的变化.同时发现测量微晶硅太阳电池时使用掩膜板所得短路电流密度与量子效率积分获得的短路电流密度相差不大.将优化后的沉积参数应用于不锈钢柔性衬底的非晶硅/微晶硅叠层太阳电池,获得了9.28;(AM0,1353 W/m2)和11.26;(AM1.5,1000 W/m2)的光电转换效率. 相似文献
9.
报道了对p-n型 GaInP2/GaAs叠层太阳电池的研究结果.采用低压金属有机物化学气相沉积工艺制备电池样品.通过对GaInP2顶电池中场助收集效应的计算机模拟,提出用p+p-n-n+结构取代常用的p+n 结构,显著改善了GaInP2顶电池和GaInP2/GaAs叠层太阳电池的光伏性能,使其光电转换效率(Eff)分别达到14.26% 和23.82% (AM0, 25℃, 2×2cm2). 相似文献
10.
电沉积CuInSe2薄膜的热处理研究 总被引:6,自引:0,他引:6
报道了热处理对电沉积CuInSe2薄膜的表观形貌、结构及光电性质的影响。 相似文献