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设计合成了两个结构简单的绕丹宁衍生物,在CH2Cl2-DMSO混合溶剂中利用紫外-可见吸收光谱研究了其与多种阴离子的相互作用,发现它们的吸收光谱对氟离子呈现特异性变化,吸收滴定实验确认它们与氟离子间相互作用的化学计量比为1:1,1H NMR进一步证实它们与氟离子的作用类型为氢键或脱质子作用。 相似文献
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采用分子束外延(MBE)方法, 调节生长温度、Ⅴ/Ⅲ束流比等参数在(001)GaAs衬底上生长了InAs/GaInSb超晶格薄膜.结果表明:InAs/GaInSb超晶格薄膜的最佳生长温度在385~395 ℃, Ⅴ/Ⅲ束流比为5.7 :1~8.7 :1.高能电子衍射仪(RHEED)原位观测到清晰的GaAs层(4×2)、GaSb层(1×3)和InAs层(1×2)再构衍射条纹.获得的超晶格薄膜结构质量较好.随着温度的升高, 材料的载流子浓度和迁移率均上升. 相似文献
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