关于超幂零正规根与特殊正规根

本文,首先在[2]与[6]的基础上,给出了一个根a为超幂零正规根,即N-根,当且仅当它是由一个半素环正规类所确定的上根,并给出了超幂零正规根是特殊正规根的一个充要条件;然后,定义了弱特殊正规模类和特殊正规模类,给出了超幂零正规根与特殊正规根的模刻划。     

激光等离子体2660紫外探针及干涉系统

成功地在六路高功率Nd玻璃激光装置上建立了2660紫外激光探针和适合紫外波段的Normaski干涉仪,首次将可见波长的连续激光应用于紫外干涉仪中靶成像调整和光路准直。利用该紫外光干涉仪,在铜柱状靶(φ500μm)上测量了厚等离子体中高达0.6n。的电子密度。     

竖直波纹板表面凝结过程的强化传热研究

根据波纹板壁面与凝结液间的表面张力使液膜减薄的强化凝结传热的机理建立数学模型,计算了波纹板槽道谷底和波峰两侧液膜传热的综合效果与当量竖直平壁相比较的传热结果,提出了一种可兼顾通流截面和强化效应的双尺度波纹形式,对双尺度波纹、普通波纹板和当量平板进行了凝结传热性能比较实验,表明双尺度波纹板凝结侧传热系数可比普通波纹板增强约40％。     

Banach空间上有界可逆线性变换逆变换的结构

Fillmore在[1]中得到一个定理:设A,T是Banach空间X上的线性变换,A有界,若Lat(A) Lat(T)且AT=TA,则T是A的多项式.在本文里,以此作为引理,讨论了Banach空间上可逆线性变换A在什么情况下,A-1可表示为A的多项式.本文最主要的结论是定理3.4:设X是Banach空间,A是X上的有界线性变换,且可逆,则A-1是A的多项式当且仅当A-1是A的局部多项式.     

利用固定化微生物技术强化降解TATB工业废水

综述九十年代以来固定化微生物技术用于难降解有机废水治理中的最新研究进展，提出了利用该技术强化降解TATB工业废水的新途径。     

解题中的定义域意识

定义域、对应法则和值域是构成函数的三个基本要素 .其中定义域是首要“构件” ,是处理函数问题的前提条件 .因此 ,在解有关函数问题时 ,要优先考虑定义域 ,并注意发挥定义域在解题中的简化与监控作用 .1 .定义域优先意识考虑函数问题 ,往往需要分析多方面的情况 ,但首先考虑定义域则是最基本的一点 .例 1　判断下列函数的奇偶性 :( 1 )ｆ(ｘ) =ｘ2 - 1 + 1 -ｘ2 ;( 2 )ｆ(ｘ) =1 +ｓｉｎｘ -ｃｏｓｘ1 +ｓｉｎｘ +ｃｏｓｘ.解　 ( 1 )由 ｘ2 - 1≥ 01 -ｘ2 ≥ 0 　得　ｘ =± 1 ,即函数定义域为 { 1 ,- 1 },∴　ｆ(ｘ) =0 ,即原函数既是奇…     

A New High Efficiency Multiwave Cerenkov Generator Operating at Low Magnetic Field

With a resonant cavity inserted between the second slow-wave-structure section and the tapered wavegulde, a new structure of the multlwave Cerenkov generator (MWCG) operating at low guiding magnetic field is proposed to produce high efficiency and high power microwave. Some features and potential advantages of the proposed device are analysed. The 2.5-dimensional partlcle-in-cell simulation is employed to verify the initial expectation.The results show that, with the use of an electron beam of 640keV and 8.4kA guided by the magnetic lield of 0.6 T, a stable and monochromatic X-band microwave output of 4 GW in peak power is achieved, and the average efficiency is over 30%.     

薄Si_xO_yN_z膜击穿机理的研究

本文在研究极薄Si_xO_yN_x膜击穿特性的基础上,探讨了氮化SiO_2膜的击穿机构,讨论了氮化影响击穿性能的因素。实验结果与理论分析表明,氮化后的SiO_2膜击穿性能的改善主要决定于膜中及表界面的微观结构的改善及成分的改变。虽然,氮化引起介质膜带隙宽度的变窄将导致击穿电场的下降,但致密的材料结构、变得平整的表界面及陷阱的影响将大大推迟击穿的发生。实验结果表明,氮化SiO_2膜的本征型击穿仍是由碰撞电离引起的;但是,在任何情况下,引起破坏性的永久击穿的原因仍是热传递。     

切伦柯夫相互作用中分段式慢波结构与均匀慢波结构的比较研究

 分析了切伦柯夫束波相互作用中使用单段慢波结构的缺点。指出在分段式慢波结构中，漂移段及其两端的慢波结构组成一Bragg谐振腔，当漂移段长度合适时，根据渡越时间效应理论，这种结构能减小调制束中电子的速度分散，提高束波转化效率。通过粒子模拟方法，比较了均匀慢波结构与分段式慢波结构中束波相互作用的物理图像，验证了理论分析结果，并说明了后者有束密度群聚充分，束电子速度分散小，产生微波功率高、频谱质量好，最佳工作电流大，输入电功率高等优点。     

符号空间的拟移位和Moebius带上的奇怪吸引子

给出了双边符号空间上的一种新的拟移位映射，得到了它与传统的移位映射拓扑共轭．类似Smale马蹄，对这种拟移位映射给出了一个模型，即在Moebius带上给出一类映射．同时刻划了这类映射的吸引子的结构及动力学行为．