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Sn掺杂ZnO半导体纳米带的制备、结构和性能 总被引：7，自引：0，他引：7
在无催化剂的条件下, 利用碳热还原反应气相沉积法制备出了高产率单晶Sn掺杂ZnO纳米带. XRD和TEM研究表明纳米带为结晶完好的纤锌矿结构, 生长方向沿[0001], EDS分析表明纳米带中Sn元素含量约为1.9%. 室温光致发光谱(PL)显示掺锡氧化锌纳米带存在强的绿光发射峰和较弱的紫外发射峰, 谱峰峰位中心分别位于494.8 nm和398.4 nm处, 并对发光机制进行了分析. 这种掺杂纳米带有望作为理想的结构单元应用于纳米尺度光电器件领域. 相似文献
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本文采用速凝甩带-氢破-气流磨-取向成型-烧结回火等工序,同时添加Dy和Co元素,制备了烧结Nd25.5Dy6.5Co13FebalM1.05B0.98磁体(Co13磁体),室温下磁能积(BH)max=30.88 MGOe,矫顽力Hcj=19.01 kOe.与Nd30Dy1.5Co0.5FebalM1.05B0.98(35SH)磁体相比, Co13磁体的室温磁性能略低,但温度稳定性显著提升,剩磁温度系数α从–0.136%/℃提升至–0.065%/℃(室温—180℃);居里温度TC从310℃升高至约454℃;最高使用温度TW从165℃提升到约200℃.力学性能测试和断口分析表明, Co13磁体中由于Co含量较高,主相晶粒发生解理断裂的比例提高... 相似文献
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