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利用室温下压电调制反射光(PzR)谱技术系统测量了N掺杂浓度为0.0%—3%的分子束外延生长GaNxAs1-x薄膜,并对图谱中所观察的光学跃迁进行了指认.在GaN0.005As0.995和GaN0.01As0.99薄膜的PzR谱中观察到此前只在椭圆偏振谱中才看到的N掺杂相关能态E1+Δ1+ΔN.当N掺杂浓度达到
关键词:
压电调制反射光谱(PzR)
xAs1-x薄膜')" href="#">GaNxAs1-x薄膜
分子束外延(MBE) 相似文献
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合成了3种BINOL双酰胺(Ⅰ~Ⅲ),其结构经1H NMR, 13C NMR, HR-MS(ESI)和元素分析确证。研究了I~III对取代吲哚和硝基烯烃的Friedel-Crafts烷基化反应的催化性能,并对反应条件进行了优化。结果表明:在最优条件(CH2Cl2为溶剂,Ⅰ为催化剂,于40 ℃反应12 h)下,吲哚及取代吲哚与硝基烯烃均能有效的进行Friedel-Crafts烷基化反应,收率和ee值最高可达88%和90%。 相似文献
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团簇淀积纳米结构薄膜的计算机模拟 总被引:1,自引:0,他引:1
对团簇的淀积方式作了简介。着重对团簇的淀积过程进行了计算机模拟,从中得出了淀积的尺寸分布与团簇在衬底上的徙动长度有关,而团簇的聚合长大存在一临界尺寸。并给出低能Pb团簇在碳膜表面的徙动长度和聚合的临界尺寸。 相似文献
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利用固源分子束外延技术,在In0.15Ga0.85As/GaAs量子阱生长了两个InAs/In0.15Ga0.85As量子点(DWELL)样品.通过改变其中一个InAs DWELL样品中的In0.15Ga0.85As阱层的厚度和生长温度,获得了量子点尺寸增大而且尺寸分布更均匀的结果.结合光致发光光谱(PL)和压电调制光谱(PzR)实验结果,发现该样品量子点的光学性质也同时得到了极大的优化.基于有效质量近似的数值计算结果表明:量子点后生长过程中应力导致In0.15Ga0.85As阱层合金分解机理是导致量子点尺寸和光学性质得到优化的主要原因. 相似文献
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利用RUSKA公司无汞PVT装置,对辽河减压渣油-正戊烷体系的相行为进行了实验观察,测定了辽河渣油-正戊烷体系相态变化的边界线,如液-液相分界线、液-液-气三相区分界线等,绘制了体系的p-t相图;在140℃~190℃,1.0MPa~10.0MPa,溶剂质量比为3.0~6.0的条件下,对体系相特性的变化进行了分析和讨论。在实验条件下,辽河渣油-戊烷体系的p-t相图可以划分为四个区域:单一液相区、液-液两相区、液-液-气三相区、气-液两相区;溶剂质量比对由单一液相区转变为液-液两相分相压力的影响显著,溶剂质量比越大,分相压力越大;但溶剂质量比对液-液-气三相区影响不大。确定了辽河渣油-正戊烷体系溶剂脱沥青过程适宜的操作区域。 相似文献
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利用分子束外延生长获得的两个InAs量子点样品制备了n型的量子点红外探测器.对于其中一个器件,在InAs量子点有源区的底部和顶部分别插入生长了AlGaAs势垒层.利用透射电阻显微技术研究了两个样品的结构特性;利用光致发光光谱和光电流谱研究了两个器件的光电性质.实验结果表明,AlGaAs层的插入对器件的探测性质有显著的影响.利用有三维效质量近似模型的计算结果,指认了带内光电流谱中峰结构的起源. 相似文献
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Preparation and characterization of room-temperature ferromagnetism GaMnN based on ion implantation 总被引:1,自引:0,他引:1
This paper reports the fabrication of GaMnN ferromagnetic semiconductor on GaN substrate by high-dose Mn ion implantation. Both the structural and optical properties for Mn+-implanted GaN material were studied by X-ray diffraction, Raman scattering and photolumi-nescence. The results reveal that the implanted manganese incorporates on Ga site and GaMnN ternary phase is formed in the substrate. The magnetic behavior has been characterized by superconducting quantum interference device. The material shows room-temperature ferromagnet-ism. The temperature-dependent magnetization indicates different mechanism for ferromagnetism in Mn+-implanted GaN. 相似文献
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