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利用表面分析仪器俄歇电子能谱(AES)仪和电子能谱化学分析(ESCA)仪对超导Nb-Ge溅射膜进行表面和深度剖面分析,以探讨在溅射沉积成膜过程中A15结构Nb3Ge能够稳定生长的机制,以及影响其转变温度Tc的因素。分析结果表明,超导Nb-Ge膜中含有O,C和Al等杂质,其中O的含量对Tc有重要影响。表面上未发现有聚集的Ge。Nb/Ge密度比由表面层的3.1向内部逐渐降至2.26。X射线光电子能谱(XPS)的分析表明:Nb,Ge,C和O的谱峰沿深度均有不同程度的化学位移和峰形变化,这明这些元素的化学态在膜内是复杂的。但其中Nb的变化最小,可能对高TcA15Nb3Ge相的生长起稳定作用。
关键词: 相似文献
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在具有CeO2隔离层的Si基片上获得了较高质量的YBa2Cu3O7-x(YBCO)高温超导薄膜。在零磁场下,77K时其临界电流密度达到1×106A/cm2。研究发现,YBCO的(001)面平行于Si基片的(100)面,而CeO2过渡层由许多约40nm×100nm的细小CeO2晶粒组成,其取向呈散乱分布。尽管CeO2和Si之间的晶格错配很小(约0.4%),CeO2却不能在Si上外延生长,而YBCO却能在取向凌乱的CeO2上形成[001]择优取向。CeO2和Si的界面处有一层极薄的过度层。YBCO和CeO2界面存在Y2BaCuO5(211相)。在YBCO薄膜中观察到有与123相混生的248相。 相似文献
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