AlN靶材射频磁控溅射制备AlN薄膜及性质研究

以AlN作为靶材,使用射频磁控溅射法在Si（100）和玻璃衬底上,在纯氮气气氛条件下制备得到AlN薄膜,并研究了衬底温度对溥膜的结构,形貌和性质的影响．实验表明,衬底温度为370℃的条件下制备的AlN溥膜具有C轴择优取向,薄膜表面均匀、致密和平整,均方根粗糙度为4．83nm．随着基片温度的增加,溥膜的折射率增加,对应着薄膜从非晶态到晶态过程的演变．     

混合团簇Cu12A(A=Fe、Co、Ni)结构及能量特性的密度泛函研究

以Cu13非紧致低对称性基态结构及四种13原子高对称性（Ih、Oh、D5h、D3h）密堆积结构为初始构型，通过不等价位原子替换，利用密度泛函理论系统研究了Cu12A(A=Fe、Co、Ni）混合团簇的结构及能量特性．结果表明：Cu12A(A=Fe、Co)团簇的基态结构均以Ih替换结构为主，且均倾向于中心位置替代的高对称性结构，而Cu12Ni团簇基态则为与Cu13类似的非紧致低对称性结构；Fe、Co、Ni三者对Cu13基态各不等价位替代结构稳定性序列基本相同，而对四种高对称性结构相应中心替代构型稳定性均高于表面替代构型（且Fe、Co均明显强于Ni）；对各混合团簇基态结构均无明显同分异构现象.     

萃取原子吸收法测定碱金属盐类中的微量钙

用原子吸收法测定高纯盐类中的钙时,由于基体效应和其它共存元素的干扰,因而无法达到足够的灵敏度。因此,我们在实验中采用了萃取分离微量钙的方法,探讨了碱金属盐类中钙的测定条件。实验证明,在pH=12的情况下,用8——羟羟喹啉——异戊醇溶液一次萃取,钙可以定量地被萃取出来,后将有机相直接喷空气燃烧,灵敏度可满足实验要求,一般可析出0.08ppm的钙。用该萃取法,同时消除了基体和杂质的干扰。该实验使用的所有试剂都     

AlN靶材射频磁控溅射制备A1N薄膜及性质研究

以AlN作为靶材,使用射频磁控溅射法在Si(100)和玻璃衬底上,在纯氮气气氛条件下制备得到AlN薄膜,并研究了衬底温度对薄膜的结构,形貌和性质的影响.实验表明,衬底温度为370℃的条件下制备的AlN薄膜具有C轴择优取向,薄膜表面均匀、致密和平整,均方根粗糙度为4.83nm.随着基片温度的增加,薄膜的折射率增加,对应着薄膜从非品态到晶态过程的演变.     

Fen、Nin(n=2～100)团簇基态结构与能量的模拟淬火算法研究

采用Gupta多体势结合分子动力学模拟退火及淬火方法、分别求解了Fen及Nin(n=2～100)团簇的最低能几何结构及能量. 结果表明：在所研究尺寸范围内除少数团簇的结构不同外，两类团簇具有相似的基态几何结构，在两类团簇结构演化中皆存在类Ih、类Oh、类D5h和Ih&D5h互嵌套类构型之间的竞争；分析团簇二阶差分能和剩余能表明两类团簇共同的幻数序列为：n=13、19、23、38及55，不同处为Ni26及Fe75 也分别为相应体系幻数团簇．对两类团簇分析其平均最近邻原子间距及平均配位数均可给出幻数成因．在所研究团簇尺寸范围内二者平均结合能均表现出随团簇尺寸增大而总体增大的普遍趋势，但Ni团簇的能量演化明显快于Fe团簇，这与实验观测镍团簇磁性演化明显快于铁团簇是完全一致的．     

In situ electronic structural study of VO_2 thin film across the metal–insulator transition

The in situ valence band photoemission spectrum （PES） and X-ray absorption spectrum （XAS） at V LⅡ-LⅢ edges of the VO2 thin film, which is prepared by pulsed laser deposition, are measured across the metal–insulator transition （MIT） temperature （TMIT=67 ℃）. The spectra show evidence for changes in the electronic structure depending on temperature. Across the TMIT, pure V 3d characteristic d‖ and O 2p-V 3d hybridization characteristic πpd, σpd bands vary in binding energy position and density of state distributions. The XAS reveals a temperature-dependent reversible energy shift at the V LⅢ-edge. The PES and XAS results imply a synergetic energy position shift of occupied valence bands and unoccupied conduction band states across the phase transition. A joint inspection of the PES and XAS results shows that the MIT is not a one-step process, instead it is a process in which a semiconductor phase appears as an intermediate state. The final metallic phase from insulating state is reached through insulator–semiconductor, semiconductor–metal processes, and vice versa. The conventional MIT at around the TMIT=67 ℃ is actually a semiconductor–insulator transformation point.     

纯氮气反应溅射AlN薄膜及性质研究

在不同氮气浓度、不同溅射气压和衬底温度为20～370 ℃的条件下,分别在多种衬底上采用反应磁控溅射法沉积AlN薄膜.X射线衍射图谱表明:温度大于180 ℃时可在多种衬底上沉积出具有c轴择优取向的纤锌矿AlN薄膜.衬底温度和溅射时间的增加有利于薄膜结晶性的改善. 1.5 Pa的纯氮气气氛和Si(100)衬底是最佳择优生长条件.由紫外-可见光透射谱计算得到:在石英衬底上沉积的薄膜折射率为1.80～1.85,膜厚约为 1 μm、光学能隙为6.1 eV.原子力显微镜照片表明:在Si(100)衬底上制备的薄膜表面平滑,均方根粗糙度为2.2～13.2 nm.     

萃取原子吸收法测定碱金属及其盐类中的微量钙

原子吸收法测定高纯碱金属及其盐类中的微量钙,由于基体效应和其他共存元素的干扰,无法达到足够的准确度和灵敏度。我们在实验中采用萃取分离的方法,探讨了测定碱金属及其盐类中微量钙的条件。实验表明,在pH=12的情况下,用8-羟基喹啉-异戊醇溶液一次萃取可以定量萃取钙。然后将有机相直接喷入空气-乙炔火焰中,可检出0.08微克/毫升的钙,相对误差为10—15％。方法简便快速,可同时消除基体和杂质的干扰。我们对8-羟基喹啉的用量,pH范围和有机相     

8—羟基喹啉—异戊醇萃取分离继用钙色素分光光度法测定碱金属中的微量钙

据[1]报导,钙色素对测定微量钙来说是十分灵敏的试剂。当pH≈12时,钙色素与钙离子生成1∶1的较稳定的紫色络合物(在碱性介质中钙色素的水溶液是兰——紫色,与钙离子作用后变成红——紫色络合物)。考虑到有机相的挥发性影响测定准确性,本实验采用1∶2超纯HCl反萃取,后用0.5N HaOH溶液调节pH为12,然后加入钙色素,以弥补因有机相挥发带来的误差。此方法简便、准确,可以测定     

Fen、Nin(n=2～100)团簇基态结构与能量的模拟淬火算法研究

采用Gupta多体势结合分子动力学模拟退火及淬火方法、分别求解了Fen及Nin(n=2～100)团簇的最低能几何结构及能量. 结果表明：在所研究尺寸范围内除少数团簇的结构不同外,两类团簇具有相似的基态几何结构,在两类团簇结构演化中皆存在类Ih、类Oh、类D5h和Ih&D5h互嵌套类构型之间的竞争;分析团簇二阶差分能和剩余能表明两类团簇共同的幻数序列为：n=13、19、23、38及55,不同处为Ni26及Fe75 也分别为相应体系幻数团簇．对两类团簇分析其平均最近邻原子间距及平均配位数均可给出幻数成因．在所研究团簇尺寸范围内二者平均结合能均表现出随团簇尺寸增大而总体增大的普遍趋势,但Ni团簇的能量演化明显快于Fe团簇,这与实验观测镍团簇磁性演化明显快于铁团簇是完全一致的．