NaNO3掺杂Y2O3材料的制备及电流变性质

利用NaCO3和Y（NO3）3做主要原料，合成了一系列用稀土氧化物（Y2O3）作为基础材料的新型电流变材料——NaNO3掺杂Y2O3材料。对于这些材料的介电性质、微观结构和电流变性能的研究结果表明，NaNO3的掺杂可以明显地提高Y2O3材料的电流变活性。材料在二甲基硅油中的悬浮液的剪切应力随NaNO3在Y2O3中的掺杂程度有明显变化，当Na／Y（物质的量的比）为0．6时材料的电流变性能最好，     

应变Si1-xGex层中p型杂质电离常温和低温特性

本文采用解析的方法计算了应变Si1-xGex层中p型杂质电离度与Ge组分x、温度T以及掺杂浓度N的关系.发现常温时,在同一Ge组分下,随着掺杂浓度的升高,杂质的电离度的先变小,而后又迅速上升到1.在同一掺杂浓度下,轻掺杂时,杂质的电离度随Ge组分的增加先变大,而后几乎不变;重掺杂时,杂质电离能变为0后,杂质电离度为1.低温下,轻掺杂时,载流子低温冻析效应较为明显,杂质的电离度普遍较小,当掺杂浓度大于Mott转换点时,载流子冻析效应不再明显,电离率迅速上升到1.在同一Ge组分下,随着掺杂浓度的升高,杂质的电离度先变小,后变大,而后又迅速上升到1.在同一掺杂浓度下,轻掺杂时,杂质的电离度随Ge组分的增加变大;重掺杂时,杂质电离能变为0后,杂质电离度为1.     

轻稀土氯化物与2,3,11,12-四苯基-1,4,7,10,13,16-六氧-2,11-十八环二烯配合物的合成及XPS研究

本工作合成了轻稀土氯化物与题目不饱和冠醚所形成的三种新的轻稀土配合物。元素分析数据说明稀土氯化物与配体的化学配比是1:1。我们着重对这些配合物进行了X射线光电子能谱研究,得到了组成原子芯能级电子(Ln 3d_(5/2),O 1s,C 1s,Cl 2p)的结合能变化信息。在LnCl_3·L和LnCl_3中观察到Ln 3d_(5/2)[Ln=Ce(Ⅲ),Pr(Ⅲ),Sm(Ⅲ)]的伴峰结构,其伴峰能前者分别为3.8和-4.2eV,后者为3.9,-4.5和-3.1eV。这是由于Cl 3p→Ln 4f电荷转移跃迁所引起的,铈属于“振起”(Shake-up)过程,镨和钐属于“振落”(Shake-down)过程。     

高阶微商系统Dirac猜想的一个反例

由扩展正则作用量导出了高阶微商奇异Lagrange量系统的扩展正则Noether恒等式.从广义约束Hamilton系统相空间中对称性分析，给出高阶微商系统Dirac猜想的一个反例. 用正则Noether定理、 正则Noether恒等式和扩展正则Noether恒等式说明在此反例中Dirac猜想失效, 讨论中没有将约束线性化. 关键词： 高阶微商系统 约束Hamilton系统 正则对称性 Dirac猜想     

O～3岁儿童微量元素检测及纠正150例观察与体会

对西安地区150例0～3岁儿童进行了六种微量元素：钙、锌、铜、铁、镁、硒的检测，发现微量元素缺乏可导致急慢性感染、免疫力低下、小儿营养不良、贫血、发育迟缓等症状。并对小儿营养不良、喂养不当进行矫正。其中铁、钙、锌同时缺乏占50％。     

大视场短焦距镜头CCD摄像系统的畸变校正

从光学测量角度出发,结合计算机视觉中的摄像机标定方法,解决了大视场短焦距镜头CCD摄像系统的畸变校正问题。与摄像机标定不同,畸变校正中仅标定内部参数,外部参数作为已知条件。采用线性畸变模型,由最小二乘法解线性方程组得到摄像系统畸变模型的畸变系数。介绍了数字图像中像素间距和光学中心的标定方法。通过比较由标定参数得到的畸变图像和摄像机采集的畸变图像对实验标定精度进行评定,实验结果表明边缘视场(112°)的标定精度达到了0 75%。     

Design and Fabrication of 1.06 μm Resonant-Cavity Enhanced Reflective Modulator with GaInAs/GaAs Quantum Wells

A resonant-cavity enhanced reflective optical modulator is designed and fabricated, with three groups of three highly strained InGaAs/GaAs quantum wells in the cavity, for low voltage and high contrast ratio operation. The quantum wells are positioned in antinodes of the optical standing wave. The modulator is grown in a single growth step in an molecular beam epitaxy system, using GaAs/AlAs distributed Bragg reflectors as both the top and bottom mirrors. Results show that the reflection device has a modulation extinction of 3 dB at -4.5 V bias.     

仲膦与直链单烯烃加成反应的原位^31PNMR谱研究

仲膦与直链单烯烃加成反应的原位~（３１）ＰＮＭＲ谱研究夏春谷，宋焕玲，李达刚（中国科学院兰州化学物理研究所，羰基合成与选择氧化国家重点实验室，兰州７３００００）三价有机磷化合物（叔鳞ＰＲ３）具有较强的配位能力，可与过渡金属元素配位形成磷配位的配合物，...