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1.
低温氧化技术是生长10-30■任一超薄介质层的关键工艺.本文着重介绍低温氧化生长超薄介质层的物理机理和工艺原理.从超薄介质层在MIS(金属-绝缘层-半导体)太阳电池中的应用,可以看出它的存在和作用,也是对低温氧化技术的检验.
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2.
采用一种新的X射线荧光UNIQUANT软件分析方法,分析了土壤标准物质和未知样品,土壤标准物质的分析结果与标准值较吻合,除氧化钠和氧化镁的相对偏差较高外,其余氧化物的相对偏差在0~10%之间。
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