Compton散射下横等离激元与对等离子体作用特性

应用多光子非线性Compton散射模型、横等离激元色散方程和Karpman方法,研究了Compton散射对横等离激元与对等离子体作用特性的影响,提出了将入射超强激光和Compton散射作为横等离激元与对离子等离子体非线性作用新机制,给出了横等离激元非线性控制方程、等离激元数和能量公式。结果表明:与散射前相比,Compton散射使等离子体密度发生剧烈扰动,高频横等离激元与低密度扰动耦合非线性增强,导致横等离激元落入低密度区的几率增大。等离子体非线性频移和高密度区能量增加,低密度区能量减小,导致横等离激元电场包络迅速坍塌,等离激元数增加,场强度更强。     

多源信息融合的环境舒适度检测与评价

为了能够实现对室内环境的监测和舒适度的调节,首先需要获取准确、及时的室内环境参数。针对目前室内环境监测系统存在自动化程度低、检测点部署欠灵活,安装维护困难,监控难度大等问题,设计开发了一种基于无线传感网络的室内环境监测系统。以ZigBee技术为核心,构建无线传感器网络,自动采集和传输室内相关环境参数;通过结合物联网云平台,实现远程监控和报警;运用模糊综合评价的方法,通过统计、分析、计算,得到符合实际的室内环境舒适度水平。本系统通过硬件设计降低了室内环境监测成本,通过软件设计提高了系统的监测水平和灵活性,通过结合模糊综合评价方法和物联网云平台降低了监控难度。经实验,验证了本系统在实际环境下的使用性能,适合推广应用。     

Compton散射下激光等离子体纵波色散特性

应用电子与多光子集团非线性Compton散射模型,研究了Compton散射下激光等离子体纵波色散特性.结果表明:长波支纵色散曲线由解析上的长波、数值计算结果和短波组成,长波支和短波支纵色散均随相对论正负电子对特征温度的增大而增大,随Compton散射引起的频率的增量的增大而降低,且单温激光等离子体的色散曲线与散射前的双温等离子体的色散曲线相似.     

多光子非线性Compton散射对激光等离子体中强朗缪尔湍动谱的影响

基于电子与多光子集团非线性Compton散射模型,研究了多光子非线性Compton散射对激光等离子体中强缪尔湍动谱的影响,提出了将入射光和散射光作为形成强缪尔湍动的新机制,给出了横等离激元、强朗缪尔激元和离声激元之间相互作用满足的修正方程,并进行了数值模拟.结果表明:Compton散射使横等离激元和朗缪尔激元间的碰撞频率大大增加,随着时间的演化,横等离激元和朗缪尔激元的能量由小波数区向大波数区的转移比散射前要快得多,同时产生剧烈的坍塌.坍塌后期,等离激元的强非线性作用激发出高次共振谐波,使能量从一个谐波转移到另一个谐波,形成无限高次谐波,引起波的破碎,出现由调制不稳定性控制的强朗缪尔湍动、较强的激光成丝和能量均分现象.研究结果为进一步研究强朗缪尔湍动的加速机制、反常碰撞、激光加热实验及快点火实验提供了理论支持.     

太阳能热电互补高效空调系统应用

介绍一种由太阳能集热子系统(SES)、喷射子系统(ES)、机械压缩子系统(CRS)组成的热电互补高效空调系统(HEACS)。充分利用两种能源及各制冷方法的优点,通过能源特性匹配和制冷方法互补的途径,改善压缩式子系统的工作条件,提高复合制冷系统性能的同时节约高品位电能。通过实验分析太阳能集热子系统及喷射子系统的工作特性,并选取工作工况,为其应用于复合式系统提供研究基础及依据,进而测试热电互补高效空调系统性能。实验结果显示:与相同工作条件下的单压缩制冷循环相比,喷射/压缩复合式制冷循环运行工况的性能系数提升约30%,节电优势显著。     

硅烯中受电场调控的体能隙和朗道能级

近年来, 硅烯(单层硅)由于其独特的结构和电子性质以及在量子霍尔效应等领域的潜在应用而成为理论和实验研究的一个热点. 借助于四带次近邻紧束缚模型, 详细计算和研究了硅烯中受电场调制的体能隙和电子能级. 结果表明: 硅烯原胞中的两个子格处于不同的平面上, 可以通过外电场区分和控制这两个子格, 这将破坏在纯石墨烯中无法被破坏的K-K'对称性, 并消除由这一对称性导致的电子能级的二重简并; 外加电场还会引起硅烯中次近邻格点之间的Rashba自旋轨道耦合, 这一作用会在不同狄拉克点有选择地消除电子能级在部分电场点的简并, 相邻能级从交叉状态变为反交叉状态; 电子能级中除一些孤立的交叉点外, 每个能级都具有确定的自旋取向, 石墨烯中电子能级的四重简并在硅烯中被完全消除, 从而导致填充因子ν=0, ±1, ±2, ±3,…的量子霍尔平台.     

2．44-2．6MeV^178Hf核高激发态能级及性质

Coliins低能诱导6179Hfm^m2辐射衰变“正”面实验结果受到质疑的原因之一是未能确定出诱导实验的中间激发态。^178Hf核能级结构的实验数据表明：距同质异能态^178Hf^m2（2．446Mev）最近的一条能级是2．573MeV（K^π=14^＋）。因此，详细计算^178Hf核2．44-2．6MeV范围内高自旋、高激发核能级结构，对寻找低能诱导^178Hf^m辐射衰变中间激发态，分析低能诱发辐射实验可行性非常必要。     

若干图的伴随分解及色等价性

设Pm和Cm分别表示具有m个顶点的路和圈,G是任意的r阶连通图,设m是正奇数,把路Pm的标号为奇数的2-1(m+1)个顶点分别与2-1(m+1)G每个分支的第i个顶点Vi重迭后所得到的图记为ρG(i)m+2-1(m+1)r。运用图的伴随多项式的性质,首先给出了一类图簇ρG(i)(2 m+2)+((m+1)r的伴随多项式。进而令m=2t-1 q-1,λn=(2nq-1)+2n-1 qr,在讨论上述图的伴随多项式的基础上,我们证明了图ρG(i)λt和ρG(i)λt∪(t-1)K1的伴随多项式的因式分解定理,进而证明了这些图类的补图的色等价性。     

GM(1,1)的周期修正模型及其在泉水流量预测中的应用

本文阐述了 GM( 1 ,1 )的残差周期修正模型 ,并将它应用于山西神头泉的流量预测中 ,建立了神头泉流量的 GM( 1 ,1 )周期修正模型 ,对其流量进行了预测 ,为神头泉域岩溶水资源开发利用和保护提供了科学依据     

Pressure effect on the electron mobility in AlAs/GaAs quantum wells

By taking the influence of optical phonon modes into account, this paper adopts the dielectric continuum phonon model and force balance equation to investigate the electronic mobility parallel to the interfaces for AlAs/GaAs semiconductor quantum wells (QWs) under hydrostatic pressure. The scattering from confined phonon modes, interface phonon modes and half-space phonon modes are analysed and the dominant scattering mechanisms in wide and narrow QWs are presented. The temperature dependence of the electronic mobility is also studied in the temperature range of optical phonon scattering being available. It is shown that the electronic mobility reduces obviously as pressure increases from 0 to 4GPa, the confined longitudinal optical (LO) phonon modes play an important role in wide QWs, whereas the interface optical phonon modes are dominant in narrow QWs, the half-space LO phonon modes hardly influence the electronic mobility expect for very narrow QWs.