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铅-铝与铁-银二系统的液态溶解度很小,熔化时分为二层,故可测定银在铅与铝间及铝在铁与银间的分配比。根据文献中已有的分配数据,铅-银相及有关热化学数据,作者等计算了铅-银,银-铝及铁-铝等液态二元系统中的活度。最后作者等算出了铝脱氧反应的平衡常数,与 Gokcen & Chipman 的实验数据大致相符,惟温度系数尚不能确定,有待将来研究。 相似文献
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本文应用半导体物理化学方法(借助某些物理测试手段)研究GaAs材料中最主要深施主能级EL2映陷的形成及其转化的一些规律。首先归纳了鉴别EL2本性的三个重要依据(化学计量比、与位错关系和低温光猝灭行为),然后着重阐述三元络合物A_(SGa)V_(As)V_(Ga)作为EL2缺陷构型的形成反应、应变模型形成机理和亚稳态机理,并利用该模型来解释EL2的主要物理和化学性质,对文献报道的EL2其它可能构型如As_(Ga)、As_(Ga)Asi、As_(Ga)V_(As)、As_(Ga)V_(Ga)、(Asi)_4、(As_(Ga))_n、V_(Ga)V_(As)和As_(Ga)V_(Ga)V_(As)等作了评述。最后还讨论了EL2与GaAs中其它深能级的关系,其中包括EL2族现象。 相似文献
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本文应用半导体物理化学方法(借助某些物理测试手段)研究GaAs材料中最主要深施主能级EL2映陷的形成及其转化的一些规律。首先归纳了鉴别EL2本性的三个重要依据(化学计量比、与位错关系和低温光猝灭行为),然后着重阐述三元络合物A_(SGa)V_(As)V_(Ga)作为EL2缺陷构型的形成反应、应变模型形成机理和亚稳态机理,并利用该模型来解释EL2的主要物理和化学性质,对文献报道的EL2其它可能构型如As_(Ga)、As_(Ga)Asi、As_(Ga)V_(As)、As_(Ga)V_(Ga)、(Asi)_4、(As_(Ga))_n、V_(Ga)V_(As)和As_(Ga)V_(Ga)V_(As)等作了评述。最后还讨论了EL2与GaAs中其它深能级的关系,其中包括EL2族现象。 相似文献
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