首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   277篇
  免费   60篇
  国内免费   110篇
化学   206篇
晶体学   3篇
力学   27篇
综合类   14篇
数学   73篇
物理学   124篇
  2024年   4篇
  2023年   10篇
  2022年   12篇
  2021年   7篇
  2020年   6篇
  2019年   5篇
  2018年   12篇
  2017年   4篇
  2016年   9篇
  2015年   6篇
  2014年   16篇
  2013年   13篇
  2012年   10篇
  2011年   4篇
  2010年   7篇
  2009年   15篇
  2008年   9篇
  2007年   15篇
  2006年   24篇
  2005年   9篇
  2004年   5篇
  2003年   17篇
  2002年   11篇
  2001年   19篇
  2000年   15篇
  1999年   14篇
  1998年   7篇
  1997年   11篇
  1996年   13篇
  1995年   16篇
  1994年   13篇
  1993年   11篇
  1992年   14篇
  1991年   11篇
  1990年   8篇
  1989年   12篇
  1988年   2篇
  1987年   9篇
  1986年   5篇
  1985年   8篇
  1984年   8篇
  1983年   3篇
  1982年   4篇
  1981年   3篇
  1978年   2篇
  1965年   2篇
  1963年   1篇
  1958年   1篇
  1956年   1篇
  1955年   3篇
排序方式: 共有447条查询结果,搜索用时 11 毫秒
1.
巯基乙酸锑配合物的合成与X射线粉末衍射数据指标化   总被引:2,自引:0,他引:2  
一些锑和铋的配合物可以应用于医药研究[1,2 ] ,已合成了许多锑的有机配体配合物[3~ 7] ,但其中大多数没有生物活性。因此 ,研究锑或铋离子的配合物不仅对主族元素化学、生物无机化学而且对医药都有着非常重要的意义。我们用三氯化锑与巯基乙酸液相反应法合成的二巯基乙酸锑 (Ⅲ)配合物 ,其组成为HSb(SCH2 COO) 2 ,用X射线粉末多晶衍射数据指标化来研究配合物晶体结构[8] 。1 实验部分1 1 仪器与试剂EA - 1 1 0 6型元素分析仪 (意大利卡拉欧巴公司制造 ) ,D Max -YB型多晶X射线粉末衍射仪(日本理学 ,CuKα射线 ,…  相似文献   
2.
3.
孙尧  丁莹如 《催化学报》1984,5(2):130-137
用浸渍法制备了含3%Fe_2O_3的载体为γ-Al_2O_3的负载型氧化铁催化剂,并用MB,TEM,ESCA和AES对该催化剂在水煤气变换反应的各个阶段进行了测试。结果表明,在反应前催化剂上存在一种类似于FeAlO_3的含Fe~(3+)和Al~(3+)的表面氧化物。在反应条件下还原后,同时存在类似于FeAlO_3,FeAl_2O_4和Fe_3O_4的表面化合物,并且铁离子的分散度也提高了。  相似文献   
4.
以间苯三酚为起始原料,在伊顿试剂的催化作用下,与不同取代水杨酸反应合成1,3-二羟基呫吨酮类化合物3a~3l 12个,收率63%~87%,并探讨了反应机理及结构-反应活性关系.利用紫外分光光度法测定了所合成化合物对亚硝酸盐的清除作用,结果表明,在37℃、pH 3及反应时间为30 min条件下,1,3-呫吨酮类化合物对亚硝酸根均有较好的清除作用,其中化合物3f和3b的清除作用最强,清除率达34%.同时对1,3-二羟基呫吨酮类化合物清除亚硝酸盐的作用机制及构效关系进行了探讨.  相似文献   
5.
由于SU-8光刻胶的内应力将会影响高深宽比结构的全金属光栅的制作质量,本文针对近年来SU-8光刻胶应力测量困难的情况,提出了一种基于激光剪切散斑干涉技术的SU-8光刻胶应变分布测量的新方法。该方法通过对被测胶体加载前后两幅干涉图像的处理,直接得到被测胶体结构的全场应变分布情况,由胶体的应变变形数据即可反映出内应力的变化和分布趋势。同时使用ANSYS有限元分析软件对同一被测胶体进行应变仿真模拟研究,获得胶体结构的变形场仿真数据。组建了实验系统,进行了实验验证,结果表明:实际测量变形量约为1.189μm,仿真的最大变形量为1.088μm,测量误差在允许范围内,且测量的形变趋势与仿真模拟结果相一致,表明激光剪切散斑干涉技术可应用于SU-8光刻胶的应变分布全场无损检测。  相似文献   
6.
利用溶剂热法合成了层状硫代锡(Ⅲ)酸镉(Ⅱ)化合物K2CdSnS4。单晶X-射线衍射分析结果表明,化合物属单斜晶系,C2/c空间群,a=1.102 1(5)nm,b=1.103 0(5)nm,c=1.515 1(10)nm,α=90°,β=100.416(12)°,γ=90°,V=1.811 4(17)nm3,Z=8,Dc=3.209 g·cm-3,Mr=437.60,μ=6.853 mm-1,F(000)=1 600,λ=0.071 073 nm,R=0.104 2,wR=0.200 8。该化合物由类金刚烷[Cd2Sn2S10]8-结构单元互相连接形成层状结构。紫外-可见漫反射光谱研究表明,化合物为半导体,带隙为2.2 eV。  相似文献   
7.
采用高温熔融-自发结晶法成功获得一种新型混合金属硫化物Ba7AgGa5S15.该化合物结晶于非中心对称的P31c空间群(No.159),晶胞参数为a=0.964 53(10) nm,c=1.805 9(4) nm,Z=2.其结构是由[Ga4 S10] T2超四面体与[AgS4]四面体共顶点连结形成的含有18元环孔道的三维网状框架,孤立的[Ga(2)S4]四面体填充在孔道中,Ba2+填充在该三维框架结构的空隙当中.第一性原理计算研究了该化合物的电子结构、态密度、双折射率、二阶非线性光学系数,以及倍频密度.结果 表明,该化合物具有大的光学带隙(3.76 eV),其带隙主要由S3p,Ba5d和Ga4s轨道决定;其d33方向上的倍频系数约为AgGaS2的0.4倍,主要倍频贡献来源于[AgS4]和[GaS4]四面体.该研究表明在Ag-Ga-S体系中引入Ba2+,形成的Ba7 AgGa5S15表现出比AgGaS2更宽的带隙,有利于产生高的激光损伤阈值(LDT).  相似文献   
8.
A novel plasmonic polarization filter based on the diamond-shape photonic crystal fiber(PCF) is proposed. The resonant coupling characteristics of the PCF polarization filter are investigated by the full-vector finite-element method. By optimizing the geometric parameters of the PCF, when the fiber length is 5 mm, the polarization filter has a bandwidth of 990 nm and an extinction ratio(ER) of lower than -20 dB. Moreover, a single wavelength polarization filter can also be achieved, along with an ER of -279.78 dB at wavelength 1.55 μm. It is believed that the proposed PCF polarization filter will be very useful in laser and optical communication systems.  相似文献   
9.
以光子为信息传输媒介的光子集成芯片,具有高带宽、高速率、高灵敏度等优点,在光通信、光互联、光学传感等领域得到了广泛的研究与应用。为了进一步提高光子集成芯片的集成度、扩展光子集成芯片的功能,在原本二维平面的光子集成芯片的基础上,通过晶圆键合、气相沉积、磁控溅射等方法,制备三维集成光子芯片。利用多层堆叠的方式,使光子集成芯片在厚度上进行拓展,在紧凑的尺寸上,实现大规模集成光子芯片的制备。本文介绍了几种三维光子集成芯片的材料平台与制备工艺,包括单晶硅(c-Si)键合、SiN-on-SOI、非晶硅(a-Si)沉积、多晶硅(p-Si)沉积和聚合物三维光子集成芯片制造平台,结合关键器件与在光互连、光通信、激光雷达等领域的应用,介绍了不同工艺平台的发展现状与挑战。  相似文献   
10.
H(Fe)ZSM-5分子筛的合成、表征及其催化性能的研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
用水热法合成出含铁ZSM-5沸石,并对其物相、外貌、结构组成、吸附、表面酸性和催化活性等性能作了测试。ESR和XPS测定结果表明Fe~(3+)进入沸石骨架。实验结果表明,表面总酸性较弱,L酸位浓度较大的H(Fe)ZSM-5在甲醇转化反应中有利于低碳烃的齐聚和异构化,而酸性较强的HZSM-5易使低碳烯烃氢转移而生成大量的气态烃。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号