碱性介质中高择优取向（220）镍电极上丙醇的电氧化

对１．０ｍｏｌ／ＬＮｉＳＯ４和０．５ｍｏｌ／Ｌ Ｈ３ＢＯ３体系，控制电位为一１．２５Ｖ，沉积６０ｍｉｎ，制得高择优取向镍电极。该镍电极经Ｘ射线衍射测定其织构度ＴＣ２２０为９２％。采用循环伏安法研究了１ｍｏｌ／Ｌ ＮａＯＨ溶液中高择翁取向镍电极上丙醇的电催化氧化机理有活性，结果表明：高择优取向镍电极对正丙醇的电催化活性高，对异丙醇的电催化活性小；推导出正丙醇的电氧化动力学方程，运用稳态极经曲线测定了     

二价稀土三元碘化物AREI_3的结构特征

AREI_3(A=K,Rb,Cs;RE=Sm,Eu,Yb,Tm)的结构已由X射线衍射Guinier技术测定,CsEul_3并为电子衍射证实其多型性(polytypism)。AREI_3为SrCeO_3型(正交晶系,多型)。按照K值规律可观察到碘化物AREI_3与其他卤化物结构的不同。     

烟酸对酸性硫酸盐体系铜电沉积的影响

对溶液A: 0.8 mol•L－1硫酸铜,0.6 mol•L－1硫酸,5.0×10－5 mol•L－1氯离子,1.0×10－4 mol•L－1聚乙二醇的溶液,溶液B:在溶液A中加入2.0×10－2 mol•L－1烟酸,pH为0.5,运用循环伏安和计时安培法研究玻碳电极上铜的电沉积行为.结果表明,铜的电沉积过程经历了晶核形成过程,其电结晶按瞬时成核和三维生长方式进行.烟酸的加入对铜的电沉积具有阻化作用,但不改变铜的电结晶机理.沉积层的X射线衍射表明Cu为面心立方结构,在烟酸存在下沉积层出现(220)高择优取向,这可能是烟酸在Cu(220)晶面上发生强烈吸附作用的结果.     

RbEuI3和CsEuI3的合成及结构与性质研究

本文用一步法合成了新合物ＲｂＥｕＩ３与ＣｓＥｕＩ３，测定了化合物的组成，结构，熔点，密度，荧光光谱，极谱电位及磁矩，确定了化合物中Ｅｕ的价态为正二价。     

固相萃取-高效液相色谱-荧光检测法同时测定水中的壬基酚和双酚A

利用C18固相萃取柱富集和净化水样,采用高效液相色谱分离、荧光检测建立了水中的壬基酚（NP）和双酚A（BPA）的测定方法,并成功用于污水处理厂各处理单元出水的测定。不同加标水平的NP和BPA的回收率为95．3％～98．6％．其相对标准偏差为2、5％～3．7％。     

锂硫电池膨胀氧化石墨/硫复合正极材料的制备及其性能

以棒状石墨为原料,采用改良的Hummers法与热处理制备得到膨胀氧化石墨(E-GO),利用在酸性水溶液中归中化学反应的方法合成纳米尺寸的硫颗粒,使其嵌入到膨胀氧化石墨的内部,制备了膨胀氧化石墨-硫复合材料。采用红外光谱,X-射线光电子能谱表征了膨胀氧化石墨表面官能团的存在和种类;X-射线衍射分析结果表明生成的硫属于斜方晶结构;扫描电子显微镜和透射电镜分析证明了材料中硫的均匀分布。恒电流充放电结果表明该复合正极材料的首次放电容量为1 020 mAh.g-1,100周循环之后其容量还保持在650 mAh.g-1左右;材料的倍率性能和库伦效率优异,这可能得益于小尺寸的硫在材料中均匀分布,以及表面官能团对硫的固定化作用。     

乙醛酸化学镀铜的电化学研究

以乙醛酸作还原剂,Na2EDTA.2H2O为络合剂,亚铁氰化钾和2,2'-联吡啶为添加剂组成化学镀铜液体系,应用线性扫描伏安法研究分析了络合剂、添加剂对该镀铜体系电化学性能的影响.结果表明,络合剂Na2EDTA对乙醛酸的氧化和铜的还原有阻碍作用.亚铁氰化钾和过量(20 mg/L)的2,2'-联吡啶对乙醛酸的氧化起较明显的抑制作用.     

银负载量对网状TiO_2柔性薄膜电极储锂性能的影响

采用水热法结合银镜反应制备出一系列不同Ag负载量(2.2%、4.0%、6.4%,w/w)改性的3D纳米网状结构Ag@Ti O2薄膜电极。利用电感耦合等离子体技术(ICP)、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)和X射线能谱(EDX)等表征手段测试所合成材料的形貌及成分,实验结果表明Ag纳米颗粒可以成功沉积在Ti O2纳米线表面。电化学测试数据则表明,4.0%(w/w)负载量的Ag@Ti O2相比于未改性和其他负载量的Ti O2纳米线具有更好的倍率性能和更稳定的可逆容量。在50,100,200,400,800和1 200 m A·g~(-1)的电流密度条件下,该改性电极的放电容量可分别达到261.4,253.7,239.5,216.5,193.1和185.1 m Ah·g~(-1),在200 m A·g~(-1)下循环80次后容量保持率仍能达到99.8%。     

固体化合物YbCl~2和AYbI~3(A=Cs,Rb, K)中^1^7^1Yb NMR谱 及核磁屏蔽性质

首次在室温下测定了^1^7^1Yb在YbCl~2中的化学位移、化学位移各向异性、自旋-晶格弛豫时间、自旋-晶格弛豫时间的各向异性,计算出自旋-自旋弛豫时间。根据TMS(^1H)的绝对屏蔽常数,计算了^1^7^1Yb在YbCl~2和在AYbI~3(A=K,Rb,Cs)中的平均绝对屏蔽常数(σ~i~s~o),逆磁绝对屏蔽常数(σ~i~s~o^d)和顺磁绝对屏蔽常数(-σ~i~s~o^p),并且对^1^7^1Yb的各项屏蔽常数与结构之间的关系进行了讨论。