An Al_(0.25)Ga_(0.75)N/GaN Lateral Field Emission Device with a Nano Void Channel

We report an Al_(0.25)Ga_(0.75)N/Ga N based lateral field emission device with a nanometer scale void channel. A～45 nm void channel is obtained by etching out the SiO_2 sacrificial dielectric layer between the semiconductor emitter and the metal collector. Under an atmospheric environment instead of vacuum conditions, the Ga Nbased field emission device shows a low turn-on voltage of 2.3 V, a high emission current of ～40 μA(line current density 2.3 m A/cm) at a collector bias VC = 3 V, and a low reverse leakage of 3 nA at VC =-3 V. These characteristics are attributed to the nanometer scale void channel as well as the high density of two-dimensional electron gas in the Al Ga N/Ga N heterojunction. This type of device may have potential applications in high frequency microelectronics or nanoelectronics.     

阻断铜离子介导神经毒性的小分子抑制剂研究

过量的铜离子介导淀粉样蛋白异常聚集被认为是导致淀粉样蛋白变性病的主要因素之一. 基于淀粉样蛋白聚集机理及金属铜离子的氧化还原机理, 我们选用β-淀粉样蛋白Aβ1-40作为蛋白模型, 设计并合成出由硫代黄素 T衍生出来的小分子抑制剂. 该小分子抑制剂可以螯合淀粉样蛋白周围过量的一价铜离子, 阻止有害的氧化还原循环过程, 抑制活性氧物质的产生, 从而达到保护细胞的目的. 这为治疗铜离子介导的淀粉样蛋白错误折叠所造成的疾病提供了新的策略.     

Effects of Ag on Electrical Properties of Ag/Ni/p-GaN Ohmic Contact

Properties of the Ag/Ni/p-GaN structure at different temperatures are studied by Auger electron spectroscopy, scanning electron microscopy and high resolution x-ray diffraction. The effect of Ag in ohmic contact on the crystalline quality is investigated and the optimized value of annealing temperature is reported. The lowest specific contact resistance of 2.5 × 10^-4 Ωcm^2 is obtained at annealing temperature of 550^o C.     

基于离子注入制备的InGaN横向Micro-LED阵列

采用离子注入工艺在InGaN/GaN量子阱蓝光LED结构的p-GaN层形成高阻态隔离区域,实现了最小4μm超小尺寸高光效Micro-LED阵列的制备,并系统研究了氟离子注入隔离工艺制备的横向结构Micro-LED阵列的电学和光学性能.实验结果表明,在采用的离子注入能量范围内,氟离子在p-GaN层中的注入深度越深,对应器...     

基于离子注入隔离的微缩化发光二极管阵列性能

基于F离子注入隔离技术实现一种新型微缩化发光二极管(micromicro-LED)阵列器件,并系统研究注入能量及发光孔径对micro-LED阵列器光电性能的影响.研究结果表明:相比于F离子50 ke V单次注入器件, 50/100 ke V两次注入器件具有更好的光电性能,器件反向漏电降低8.4倍,光输出功率密度提升1.3倍.同时,在不同的发光孔径(6, 8, 10μm)条件下,器件反向漏电流均为3.4×10–8 A,但正向工作电压随孔径增大而减小,分别为3.3, 3.1, 2.9 V.此外,器件不同发光孔径的有效发光面积比(实际发光面积与器件面积之比)分别为85%, 87%, 92%.与传统台面刻蚀micro-LED器件相比,离子注入隔离技术实现的micro-LED器件具有较低反的向漏电流密度、较高的光输出密度及有效发光面积比.     

木素的氧化性氨化反应(英文)

在一定压力和温度条件下,木素大分子和氨发生反应,生成一些氮修饰木素.为了解反应过程中木素分子结构的变化,用13 C和1H - 13 C 2D -NMRHMQC技术检测了反应前后的分子谱图,结果显示反应过程中木素分子的碎裂化现象十分明显,很可能在氧化性氨化反应过程中,木素大分子表面基团发生了氧化性修饰,如一些侧链 -CH3 被氧化形成 -CHO和 -COOH等,然后这些基团与氨结合等;此外,芳香环结构可能通过粘康酸单体断裂形成一些酰胺类产物,但木素分子内部的高度缩合性结构没有明显的变化     

一种多通道光电系统视轴平行度调校装置

为了获得红外、可见光及微光等不同波段靶标的图像,提出一种多通道光电系统视轴平行度调校装置。该装置能够方便地加载多通道光电探测系统,主要通过下底板的腰形孔间隙及垫修下底板来实现光电探测系统视轴平行度方位及俯仰方向的调校,使其视轴平行度达到15;该装置只需首次调整光学系统的视轴平行度,光电探测系统重复更换镜头后重复定位精度优于0.01 mm。同时装置可方便地加载于光电转台等其他设备上,便于外场试验,满足使用要求。     

木素分子氧化性氨化反应过程中的结构变化

在一定压力和温度条件下，木素大分子和氨发生反应，生成一些氮修饰木素。为了解反应过程中木素分子结构的变化，用^1^3C和^1H-^1^3C2D-NMRHMQC技术检测了反应前后的分子谱图，结果显示反应过程中木素分子的碎裂化现象十分明显，很可能在氧化性氨化反应过程中，木素大分子表面基团发生了氧化性修饰，如一些侧链CH~3被氧化形成CHO和COOH等，然后这些基团与氨结合等；此外，芳香环结构可能通过粘康酸单体断裂形成一些酰胺类产物，但木素分子内部的高度缩合性结构没有明显的变化。