马尔可夫链模型在灾变预测中的应用

利用马尔可夫链模型的原理预测灾变，以郑州市旱涝等级的预测作为实例，介绍了使用这种模型的方法与步骤，预测结果表明，利用马尔可夫链模型预测灾变是可行的。     

二溴对甲基偶氮羧催化动力学光度法测定岩石及粮食中铁

研究了痕量铁对高碘酸钾氧化二溴对甲基偶氮羧的催化作用 ,发现其在H2 SO4 介质中具有高灵敏的反应 ,检出限为 8.2 2× 1 0 -11g/m L,线性范围为 Fe( ) 0～ 0 .1 8μg/2 5m L。可用于测定岩石及粮食中的铁     

Superconductivity in Topological Semimetal θ-TaN at High Pressure

Recently,θ-TaN was proposed to be a topological semimetal with a new type of triply degenerate nodal points.Here,we report studies of pressure dependence of transport,Raman spectroscopy and synchrotron x-ray diffraction on θ-TaN up to 61 GPa.We find that θ-TaN becomes superconductive above 24.6 GPa with T_c at 3.1 K.The θ-TaN is of n-type carrier nature with carrier density about 1.1 × 10~(20)/cm~3 at 1.2 GPa and 20 K, while the carrier density increases with the pressure and saturates at about 40 GPa in the measured range.However,there is no crystal structure transition with pressure up to 39 GPa,suggesting the topological nature of the pressure induced superconductivity.     

不同离子辐照氟化锂材料时原位发光光谱测量分析

在BNU400注入机上搭建的离子激发发光(ion beam induced luminescence,IBIL)测量装置上,开展了相同能量(100 keV)条件下的3种离子(H⁺、He⁺以及O⁺)辐照氟化锂材料时的IBIL光谱的原位测量工作,对比研究离子种类对氟化锂材料辐照缺陷的生成及其演变行为的影响.结合SRIM(Stopping and Range of Ions in Matter)模拟的结果,可以发现He⁺辐照时的IBIL光谱强度最高,这是由于He⁺激发产生的电子空穴对密度高于H⁺,而O⁺辐照时由于激发出的电子空穴对密度过高引起的非辐射复合比例增加,从而导致发光效率过低;质量数越大的离子辐照时,核阻止本领越大,会加快缺陷的生成和湮灭速率,降低达到平衡状态时的发光强度.近红外波段的F₃^-/F₂⁺色心发光峰强度及其演变行为表明其耐辐照性能好于可...     

高灵敏纳米金比色芯片检测乙型肝炎病毒DNA及其变异

构建了新型纳米金比色芯片,利用Taq DNA连接酶的连接特异性,将其与乙型肝炎病毒DNA( HBV-DNA)靶序列完全互补杂交的捕获探针(固定在芯片上)和纳米金修饰的探针连接成一条链,从而将纳米金颗粒固定到芯片点阵上,再通过银染反应放大,形成裸眼可见的显色信息.通过点阵的位置及灰度,即可判断HBV-DNA靶序列的单碱基突变,并得出相对定量信息.本实验对不同浓度的HBV-DNA靶序列进行了检测.结果显示:此技术对单碱基突变有很强的特异性识别能力,并且具有较高的灵敏度(约10 pmol/L),在10～100 pmol/L浓度范围内表现出较好的线性关系.该技术检测时间短(＜1 h)、操作简单、不需要特殊的检测设备,具有很好的临床应用前景.     

In situ luminescence measurement of 6H-SiC at low temperature

To understand the evolution of defects in SiC during irradiation and the influence of temperature,in situ luminescence measurements of 6H-SiC crystal samples were carried out by ion beam induced luminescence(IBIL)measurement under2 MeV H^+ at 100 K,150 K,200 K,250 K,and 300 K.A wide band(400-1000 nm)was found in the spectra at all temperatures,and the intensity of the IBIL spectra was highest at 150 K among the five temperatures.A small peak from 400 nm to 500 nm was only observed at 100 K,related with the D1 defect as a donor-acceptor pair(D-A)recombination.For further understanding the luminescent centers and their evolution,the orange band(1.79 eV)and the green band(2.14 eV)in the energy spectrum were analyzed by Gaussian decomposition,maybe due to the donor-deep defect/conduction band-deep defect transitions and Ti related bound excition,respectively.Finally,a single exponential fit showed that when the temperature exceeded 150 K,the two luminescence centers’resistance to radiation was reduced.     

面向应用的新一代稀磁半导体研究进展

稀磁半导体具有能同时调控电荷与自旋的特性,是破解摩尔定律难题的候选材料之一.我们团队率先提出了稀磁半导体中自旋和电荷掺杂分离的机制,探索并研制了新一代稀磁半导体材料,为突破经典稀磁半导体材料的制备瓶颈提供了有效解决方案.以(Ba,K)(Zn,Mn)₂As₂等为代表的新一代稀磁半导体,通过等价态的Mn掺杂引入自旋、异价态的非磁性离子掺杂引入电荷,成功实现了230 K的居里温度,刷新了可控型稀磁半导体的居里温度记录.本文将重点介绍几种代表性的新一代稀磁半导体的设计与研制、新一代稀磁半导体的综合物性表征、大尺寸单晶生长以及基于单晶的安德烈夫异质结研制.我们团队通过新一代稀磁半导体的新材料设计研制、综合物性研究、简单原型器件构建的“全链条”模式研究,开拓了自旋电荷分别掺杂的稀磁半导体材料研究领域,充分展现了自旋和电荷掺杂分离的新一代稀磁半导体材料潜在应用前景.     

自旋和电荷分别掺杂的新一类稀磁半导体研究进展

稀磁半导体兼具半导体材料和磁性材料的双重特性,是破解摩尔定律难题的方案之一.我们团队通过提出自旋和电荷分别掺杂的机制,研制发现了一类新型稀磁半导体材料,为突破经典稀磁半导体材料自旋和电荷一体掺杂引起的材料制备瓶颈提供了有效解决方案.(Ba,K)(Zn,Mn)_2As_2(BZA)等新型稀磁半导体通过等价掺杂磁性离子引入自旋、异价非磁性离子掺杂引入电荷,实现了230 K的居里温度,刷新了可控型稀磁半导体的居里温度记录.本文重点介绍1)几种代表性的自旋和电荷掺杂机制分离的新型稀磁半导体的发现与研制; 2)新型稀磁半导体的μ子自旋弛豫与高压物性结构的调控; 3)大尺寸单晶生长、基于单晶的安德烈夫异质结研制以及自旋极化率的测量.通过新材料设计研制、综合物性研究、简单原型器件构建的"全链条"模式研究,开拓了自旋电荷分别掺杂的稀磁半导体材料研究领域,展现了这类新型稀磁半导体材料潜在的光明前景.     

利用离子激发发光研究ZnO离子注入和退火处理的缺陷变化

在北京师范大学GIC4117 2×1.7 MV串列加速器上,利用离子激发发光(ions beam induced luminescence,IBIL)技术研究了2 MeV H⁺注入ZnO的缺陷变化及473和800 K退火处理对缺陷的恢复作用.实验表明,在2 MeV H⁺的辐照下,晶体内部产生的点缺陷会快速移动、聚集成团簇,从而抑制发光.473 K退火后的受辐照ZnO晶体内仍存在着大量的缺陷和团簇,而这些缺陷和团簇作为非辐射中心抑制着ZnO晶体的发光.800 K的退火处理可以显著地分解辐照过程中形成的团簇,也可以帮助点缺陷回到晶格位置,从而减少晶体内部的不平衡缺陷,提高晶体的结晶度,使退火后的受辐照ZnO样品IBIL光强大幅度增强.