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本文以氯化铜、氯化铟、硫脲为原料,以乙二醇为溶剂,采用溶剂热法在常压下合成了片状的CuInS2(CIS) 纳米粉体.研究了合成温度、合成时间、溶液浓度对合成产物CIS物相和形貌的影响.采用涂覆工艺对粉体成膜,研究了热处理对CIS薄膜的影响.采用X射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜(FESEM)及能谱仪(EDS)对合成产物进行了分析表征.研究结果表明:随着合成温度的升高和合成时间的延长,合成粉体的纯度提高.随着溶液浓度的增大,衍射峰出现宽化现象,合成粉体的粒径变小.在合成温度为195 ℃,保温时间为12 h,反应溶液浓度为氯化铜0.02 mol/L、氯化铟0.02 mol/L、硫脲0.04 mol/L的条件下,制备得到单一的CIS片状纳米粉体,片状颗粒的大小为200~500 nm,最终经过热处理能获厚度在5~8 μm左右的相对致密的CIS薄膜. 相似文献
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穴状Schiff碱铈配合物的合成与晶体结构 总被引：1，自引：1，他引：1
２，６－二甲酰对甲苯酚和三（２－氨乙基）胺在硝酸铈的模板作用下缩合得到单核穴状Ｓｃｈｉｆｆ碱配合物［ＣｅＮＯ３·Ｌ］（ＮＯ３）２，铈为九配位。配合物的晶体属三斜晶系，Ｐ１↑－空间群，ａ＝１．０８３３（３）ｎｍ，ｂ＝１．２６５４（４）ｎｍ，ｃ＝１．７６２６（７）ｎｍ，α＝８３．４８°（３），β＝８９．２８（３）°，γ＝８３．７０（３）°，Ｖ＝２．３８６（２）ｎｍ＾３，Ｚ＝２。 相似文献
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水杨酸分子印迹膜电化学传感器的制备 总被引：3，自引：1，他引：2
以水杨酸为模板分子,采用循环伏安法电聚合形成聚吡咯膜,以固定电位过氧化法去除印迹分子,制备了水杨酸分子印迹膜电极.本印迹电极能促进水杨酸电氧化过程,有效地避免结构类似物(如苯甲酸)对其测定的干扰.循环伏安法用于电化学检测,当富集时间为10 min,磷酸盐缓冲溶液的pH=6.86 时,在1.0×10-6～2.0×10-3 mol/L浓度范围内,水杨酸氧化峰电流与其浓度呈良好的线性关系,检出限为0.8 μmol/L, 用分子印迹膜电极对加标样品进行分析,回收率为94.6%～103.4%. 相似文献
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