全文获取类型
收费全文 | 325篇 |
免费 | 135篇 |
国内免费 | 149篇 |
专业分类
化学 | 205篇 |
晶体学 | 7篇 |
力学 | 34篇 |
综合类 | 16篇 |
数学 | 94篇 |
物理学 | 253篇 |
出版年
2024年 | 2篇 |
2023年 | 10篇 |
2022年 | 18篇 |
2021年 | 10篇 |
2020年 | 4篇 |
2019年 | 15篇 |
2018年 | 23篇 |
2017年 | 9篇 |
2016年 | 11篇 |
2015年 | 14篇 |
2014年 | 28篇 |
2013年 | 13篇 |
2012年 | 17篇 |
2011年 | 13篇 |
2010年 | 19篇 |
2009年 | 19篇 |
2008年 | 17篇 |
2007年 | 33篇 |
2006年 | 27篇 |
2005年 | 13篇 |
2004年 | 33篇 |
2003年 | 24篇 |
2002年 | 35篇 |
2001年 | 20篇 |
2000年 | 25篇 |
1999年 | 15篇 |
1998年 | 21篇 |
1997年 | 18篇 |
1996年 | 13篇 |
1995年 | 12篇 |
1994年 | 6篇 |
1993年 | 4篇 |
1992年 | 6篇 |
1991年 | 7篇 |
1990年 | 7篇 |
1989年 | 9篇 |
1988年 | 5篇 |
1987年 | 3篇 |
1986年 | 3篇 |
1985年 | 5篇 |
1984年 | 2篇 |
1983年 | 3篇 |
1982年 | 6篇 |
1980年 | 4篇 |
1977年 | 1篇 |
1976年 | 1篇 |
1974年 | 1篇 |
1960年 | 2篇 |
1957年 | 1篇 |
1953年 | 1篇 |
排序方式: 共有609条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
量子自旋液体是最近几年刚被人们证实除铁磁体、反铁磁体之外的第三种磁性类型,因其有望解释高温超导的运行机制、改变计算机硬盘信息存储方式而在物理、材料等领域备受关注。自旋阻挫作为量子自旋液体的最小单元可能是解开量子自旋液体诸多问题的钥匙,所以在磁学、电学研究领域再一次成为人们研究的热点。基于文献报道的三核铜配合物[Cu3(μ3-OH)(μ-OPz)3(NO3)2(H2O)2]·CH3OH(1),我们合成了三维金属有机框架配合物{[Ag(HOPz)Cu3(μ3-OH)(NO3)3(OPz)2Ag(NO3)]·6H2O}n(2)(HOPz=甲基(2-吡嗪基)酮肟),并从自旋阻挫的角度对二者磁性质进行对比和详细分析。磁化率数据表明自旋间有很强的反铁磁相互作用和反对称交换。通过包含各向同性和反对称交换的哈密顿算符对两者磁学数据进行拟合并研究其磁构关系,所获最佳拟合参数为:配合物1:Jav=-426 cm^-1,g⊥=1.83,g∥=2.00;配合物2:Jav=-401 cm^-1,g⊥=1.85,g∥=2.00。 相似文献
2.
Solitary waves and their bifurcations of KdV like equation with higher order nonlinearity 总被引:3,自引:1,他引:2
We investigate the KdV like equation with higher order nonlinearity ut + a(1 +bun)unux + uxxx = 0with n ≥ 1, a, b ∈ R and α≠ 0. The bifurcations and explicit expressions of solitary wave solutions for theequation are discussed by using the bifurcation method and qualitative theory of dynamical systems. Thebifurcation diagrams, existence and number of the solitary waves are given. 相似文献
3.
4.
利用指数二分性和泛函分析方法,我们研究了当未扰动系统不具有异宿流形的退化异宿分支.我们利用Melnikov型向量给出了系统在退化情形下的横截异宿轨道存在的充分条件. 相似文献
5.
6.
本文讨论上层目标函数以下层子系统目标函数的最优值作为反馈的一类二层凸规划的对偶规划问题 ,在构成函数满足凸连续可微等条件的假设下 ,建立了二层凸规划的 Lagrange对偶二层规划 ,并证明了基本对偶定理 . 相似文献
8.
研究了HfN/HfO2高K栅结构p型金属-氧化物-半导体(MOS)晶体管(MOSFET)中,负 偏置-温度应力引起的阈值电压不稳定性(NBTI)特征.HfN/HfO2高K栅结构的等效 氧化层厚度(EOT)为1.3nm,内含原生缺陷密度较低.研究表明,由于所制备的HfN/HfO2 高K栅结构具有低的原生缺陷密度,因此在p-MOSFET器件中观察到的NBTI属HfN/HfO2高K栅结构的本征特征,而非工艺缺陷引起的;进一步研究表明,该HfN/HfO2高K栅结构中观察到的NBTI与传统的SiO2基栅介质p-MOSFET器件中观察 到的NBTI具有类似的特征,可以被所谓的反应-扩散(R-D)模型表征: HfN/HfO2 栅结构p-MOSFET器件的NBTI效应的起源可以归为衬底注入空穴诱导的界面反应机理,即在负 偏置和温度应力作用下,从Si衬底注入的空穴诱导了Si衬底界面Si-H键断裂这一化学反应的 发生,并由此产生了Si+陷阱在Si衬底界面的积累和H原子在介质层内部的扩散 ,这种Si+陷阱的界面积累和H原子的扩散导致了器件NBTI效应的发生.
关键词:
高K栅介质
负偏置-温度不稳定性(NBTI)
反应-扩散(R-D)模型 相似文献
9.
用铜(Ⅱ)—L—精氨酸配体交换薄层色谱拆分氨基酸对映体 总被引:2,自引:0,他引:2
报道了一种新的配体交换薄层色谱拆分氨基酸对映体的方法。以醋酸铜-L-精氨酸的络合物为配体交换剂,用浸渍的方法吸附在硅胶薄层板上,制成配体交换薄层,用PRISMA优化法选择出展开剂的最佳组成为:甲醇/乙腈/四氢呋喃/水=80:8.2:5.8:6,在此色谱条件下,十对氨基酸对映体得到良好的分离,D-和L-氨基酸的相对比移值在1.09-2.40之间。文中对配体交换薄层的制备方法,样品的分子结构及色谱行为 相似文献
10.
用人工神经网络处理谷物成分分析 总被引:4,自引:0,他引:4
本文用人工神经网络处理谷物的付立叶变换近红外漫反射光谱,对谷物中含量在10~(-1)~10~(-3)的蛋白质、脂肪和6种人体必需氨基酸定量分析数据进行了解析,分析结果与经典化学方法没有系统偏差,且优于逐步回归分析法的结果。 相似文献