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1.
在氧离子导体La2Mo1.7W0.3O9的基础上,采用固相法合成了La位掺杂的Ca系列新型氧化物La2-xCaxMo1.7W0.3O9-δ(0≤x≤0.2)。通过XRD、Raman和XPS等手段对化合物结构进行表征,交流阻抗谱测试其电性能。结果表明:掺杂离子Ca2+的半径小于基质离子La3+的半径导致晶格收缩;Ca的掺杂在La2Mo1.7W0.3O9自身内置氧空位的基础上增加了额外的氧空位,提高了氧离子导体的电导率,550 ℃电导率由0.79 × 10-4 S·cm-1 (x=0.0)增加到1.5 × 10-4 S·cm-1 (x=0.16,0.2),电导率增加89.9%。  相似文献   
2.
采用溶胶-凝胶方法合成了系列新型氧化物Ce5.2RE0.8MoO15-δ(RE=Ce, Y, La, Sm, Gd, Dy, Ho, Er). 通过XRD, Raman和XPS等手段对氧化物的结构进行了表征, 采用交流阻抗谱测试其导电性能. 研究结果表明, RE3+的掺杂可增加氧离子的空位浓度, 改善母体电导率, 晶胞参数随RE3+半径的增大而增大. 掺杂离子Dy3+的半径(0.0908 nm) 与母体基质离子Ce4+的半径(0.0920 nm) 相近, 形成的掺杂氧化物晶格弹性应变最小, RE3+与氧空位间的缔合焓(ΔHA)最小, 因而氧化物Ce5.2Dy0.8MoO15-δ具有相对较高的电导率(7.02×10-3 S/cm)和较低的激活能(1.056 eV).  相似文献   
3.
Pr掺杂对Ce5.2Sm0.8MoO15-δ晶界及电性能的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
在Ce5.2Sm0.8-xPrxMoO15-δ体系中引入少量Pr得新氧化物Ce5.2Sm0.72Pr0.08MoO15-δ, 通过X射线衍射(XRD), 拉曼光谱(Raman), X射线光电子能谱(XPS), 场发射扫描电镜(FE-SEM)等手段对氧化物结构进行分析, 交流阻抗谱测试电性能; 讨论掺杂少量Pr对Ce5.2Sm0.8MoO15-δ微观结构和电性能的影响. 结果表明, 少量Pr3+的掺杂可降低晶界电阻, 增加离子扩散通道, 降低体系的总电导激活能和晶界电导激活能, 提高氧化物的总电导率和晶界电导率; 500 ℃时掺Pr材料的晶界电导率为6.79×10-3 S•cm-1, 比未掺Pr材料的晶界电导率(5.61×10-5 S•cm-1)提高约2个数量级.  相似文献   
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