基于T形管的自复叠制冷系统性能分析

T形管中非共沸工质的组分分布对组分可调热力循环性能有重要影响。但目前的研究均是基于理想分离假设分析T形管对热力循环的影响。为研究T形管实际分离性能对热力循环性能的影响,设计了一种基于T形管的新型自复叠制冷系统。对制冷工况下T形管中R134a/R600a的组分分布进行数值模拟,基于数值模拟结果对新型自复叠制冷系统性能进行计算分析。结果表明：T形管出口的流量分配比越高,其分离效率越大。当干度大于0.8或R134a质量分数大于0.7时,T形管两个出口的分离效率相对较小。与无分离的制冷系统相比,基于T形管的自复叠制冷系统的COP可提升0.83%至18.69%,单位容积制冷量可提高3.09%至36.2%,过冷器热负荷可降低11.6%至31.3%。     

超深亚微米互补金属氧化物半导体器件的剂量率效应

对0.18 μm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺的N型金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOSFET)及静态随机存储器(SRAM)开展了不同剂量率下的电离总剂量辐照试验研究. 结果表明: 在相同累积剂量, SRAM的低剂量率辐照损伤要略大于高剂量率辐照的损伤, 并且低剂量率辐照损伤要远大于高剂量率辐照加与低剂量率辐照时间相同的室温退火后的损伤. 虽然NMOSFET 低剂量率辐照损伤略小于高剂量率辐照损伤, 但室温退火后, 高剂量率辐照损伤同样要远小于低剂量率辐照损伤. 研究结果表明0.18 μm CMOS工艺器件的辐射损伤不是时间相关效应. 利用数值模拟的方法提出了解释CMOS器件剂量率效应的理论模型.     

总剂量效应致0.13μm部分耗尽绝缘体上硅N型金属氧化物半导体场效应晶体管热载流子增强效应

空间科学的进步对航天用电子器件提出了更高的性能需求, 绝缘体上硅(SOI)技术由此进入空间科学领域, 这使得器件的应用面临深空辐射环境与地面常规可靠性的双重挑战. 进行SOI N型金属氧化物半导体场效应晶体管电离辐射损伤对热载流子可靠性的影响研究, 有助于对SOI器件空间应用的综合可靠性进行评估. 通过预辐照和未辐照、不同沟道宽长比的器件热载流子试验结果对比, 发现总剂量损伤导致热载流子损伤增强效应, 机理分析表明该效应是STI辐射感生电场增强沟道电子空穴碰撞电离率所引起. 与未辐照器件相比, 预辐照器件在热载流子试验中的衬底电流明显增大, 器件的转移特性曲线、输出特性曲线、跨导特性曲线以及关键电学参数V_T, GM_max, ID_SAT退化较多. 本文还对宽沟道器件测试中衬底电流减小以及不连续这一特殊现象进行了讨论.     

气相色谱法测定烟草浸膏中的烟碱

为准确测定烟草浸膏中烟碱含量,以2-甲基喹啉为内标建立了测定烟草浸膏中烟碱的气相色谱-氢火焰离子化法(GC-FID),并测定了5个烟草浸膏样品.结果表明,方法的回收率为95.00%～98.58%,检出限为0.27 mg/g,定量限为0.89 mg/g.所测烟草浸膏中烟碱的质量分数在19.66～54.97 mg/g之间.方法简单、灵敏、准确,适用于烟草浸膏中烟碱的测定.     

一种1,4-噻嗪酰胺类FKBPs配体的波谱学数据解析

（3R）-4-[（4-甲基苯磺酰基）]-1,4-噻嗪-3-酰基-[（2R）-2-氨基-4-甲基]-戊酸异丙酯（代号：HD5-6）,是一个拥有完全自主知识产权的FK506结合蛋白家族（FKBPs）配体,具有显著的促神经再生作用,有望在临床实现对神经退行性疾病和肌萎缩侧索硬化、脑卒中的有效治疗.本文采用多种核磁共振（NMR）技术,包括¹H NMR、¹³C NMR、DEPT、1D NOESY、¹H-¹H COSY、¹H-¹³C HSQC和¹H-¹³C HMBC等,并结合质谱（MS）、紫外光谱（UV）和红外光谱（IR）等方法对此化合物进行解析,对其¹H和¹³C NMR谱峰进行全归属,通过多种谱学技术确证了该化合物的化学结构.     

α粒子结团结构与π-24Mg,π-32S弹性散射

在Glauber多重散射理论框架下, 应用独立α粒子结团模型, 计算了π介子与²⁴Mg和³²S弹性散射的微分截面, 与实验数据符合很好.     

氧化铝柱预分离-同位素稀释-电感耦合等离子体质谱法测定高温合金中痕量硫

采用Al₂O₃柱预分离,将痕量硫与复杂基体元素分离并浓缩,同时与电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)联用,采用同位素稀释质谱法,实现了对0.0006%以下硫含量的准确测定。采用Al₂O₃柱净化分离的方法解决基体效应和由HClO₄引入的空白问题;以O₂作为反应气体,通过质量转移方式解决质谱干扰问题,同时对仪器参数进行了优化。在优化条件下,方法检出限和定量限分别为0.00003%和0.00008%。按照实验方法对高温合金标准物质的测定结果与认证值一致,对高温合金实际样品0.0001%含量硫的加标回收率为92.0%,相对标准偏差为4.7%。使用所建立的方法对硫含量在0.0006%及以下的实际样品进行分析,结果与红外吸收法一致。     

Direct measurement and analysis of total ionizing dose effect on 130 nm PD SOI SRAM cell static noise margin

In this work, the total ionizing dose(TID) effect on 130 nm partially depleted(PD) silicon-on-insulator(SOI) static random access memory(SRAM) cell stability is measured. The SRAM cell test structure allowing direct measurement of the static noise margin(SNM) is specifically designed and irradiated by gamma-ray. Both data sides' SNM of 130 nm PD SOI SRAM cell are decreased by TID, which is different from the conclusion obtained in old generation devices that one data side's SNM is decreased and the other data side's SNM is increased. Moreover, measurement of SNM under different supply voltages(Vdd) reveals that SNM is more sensitive to TID under lower Vdd. The impact of TID on SNM under data retention Vddshould be tested, because Vddof SRAM cell under data retention mode is lower than normal Vdd.The mechanism under the above results is analyzed by measurement of I–V characteristics of SRAM cell transistors.     

日式成本经验——日美成本管理比较

在生产要素成本不断飙升之际,日本的“成本经验”并未过时,他们过去的经验晗恰可能是我们今天需要的。