氮在含氧Mo(100)面上的吸附与反应

 用HREELS, AES, LEED和TDS考察了氮在含氧Mo(100)上的吸附和热脱附. 120 K下氮在含氧Mo(100)上吸附时存在着N—N伸缩振动频率2150和1600 cm-1, 分别对应于线式(γ态)和侧位(α态)两种分子吸附态. 升温引起γ态氮的脱附和α态氮的解离. 其中γ态氮的脱附峰温位于155 K, 遵循一级脱附动力学; 由α态解离生成的N原子占据Mo(100)的四重空位(即β态), 并在高于1?150 K的温度重新化合形成氮而脱附. 120 K时,氮的吸附是无序的; 吸附了氮的表面经1100 K退火后生成了有序的c(2×2)-N表面结构.     

DV—4型光谱仪光谱工作曲线的干扰校正

在DV-4型光电直读光谱仪的分析工作中,常会遇到元素间存在的相互干扰问题,识别和校正干扰是一项很重要的工作.识别干扰在有关资料中已有报道,本文讨论光谱工作曲线的干扰校正方法.1 工作曲线的产生假定在某波长,A为干扰元素,其浓度以C_A表示,B为被测元素,其浓度以C_B表示,则在此波长必能作一条B元素不受干扰时的回归工作曲线:C_B=a_BI_B b_B (1)(I_B为B元素测得光强,a_B、b_B为回归常数,DV-4型光谱仪直接以上式进行数学校准).由于A元素的干扰,在此波长测得总光强值为A、B两元素光强值之和:     

~(15)NO与Mo(100)-c(2×2)N表面相互作用的HREELS和TDS研究

利用高分辨电子能量损失谱（ Ｈ Ｒ Ｅ Ｅ Ｌ Ｓ） 和热脱附谱（ Ｔ Ｄ Ｓ）, 研究了１５ Ｎ Ｏ 在 Ｍｏ（１００）ｃ（２×２） Ｎ 表面上的吸附态及其随温度的变化． １２０ Ｋ 时, 在 Ｍ ｏ（１００）ｃ（２×２） Ｎ 表面低暴露量的１５ Ｎ Ｏ 发生解离和分子吸附, 解离生成的１５ Ｎ 在１ ２３０ Ｋ 与另一１５ Ｎ 原子或氮化钼中的１４ Ｎ 原子并合、脱附． 在升温时大部分分子吸附的１５ Ｎ Ｏ 发生解离和反应, 解离生成的１５ Ｎ 原子与另一１５ Ｎ 原子生成１５ Ｎ２ 而脱附, 或与表面残存的１５ Ｎ Ｏ 生成１５ Ｎ２ Ｏ 脱附． １５ Ｎ２ Ｏ 的脱附峰温与 Ｍｏ（１００）表面相比, 升高了约１５０ Ｋ, 可能与形成氮化钼后电子由金属钼向非金属氮转移有关． 电子能量损失谱（ Ｅ Ｌ Ｓ）表明, １５ Ｎ Ｏ 在 Ｍｏ（１００）ｃ（２×２） Ｎ 表面生成了一种新的１４ Ｎ１５ Ｎ Ｏ 物种． ３００ Ｋ 时, 低暴露量的１５ Ｎ Ｏ 在 Ｍ ｏ（１００）ｃ（２×２） Ｎ 表面解离吸附; 高暴露量时, 存在分子吸附的１５ Ｎ Ｏ．