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采用化学水浴沉积法(CBD)在钠钙玻璃衬底上制备硫化镉(CdS)薄膜,研究不同硫酸镉(CdSO_4)浓度下产生的本征缺陷对CdS薄膜光电学性质的影响。采用光致发光光谱、紫外-可见分光光度计及霍尔效应测试系统对薄膜的本征缺陷、光学及电学性质进行分析,发现CdS薄膜主要存在镉间隙(Cdi)及硫空位(VS)等本征缺陷,且VS随CdSO_4浓度的降低而逐渐减少。同时,VS缺陷的减少有利于薄膜透过率的提高,但在一定程度上降低了薄膜的电导率。根据透过率及其相关公式可知,半导体材料中透过率与电导率成e指数反比关系,适当减小薄膜的电导率可以使其透过率得到大幅度的提高,理论解释与实验结果相一致。 相似文献
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用铜模铸造法成功制备出直径为3mm以混合稀土金属Mm（Mischmetal）为基的Mm55Al25Ni10Cu5Co5大块非晶合金。利用XRD和DSC等手段对该合金的形成能力及热稳定性进行了分析。结果表明：该合金具有很好的非晶形成能力及热稳定性，存在明显的玻璃转变温度Tg、宽的过冷液相区△Tx=Tx-Tg（〉60K）及高的约化玻璃转变温度Trg=Tg／Tm（〉0．67）。同时，该合金强度较高，其压缩断裂强度（σf）为676MPa，比La55Al25Ni10Cu5Co5大块非晶提高94MPa。另外，Mm55Al25Ni10Cu5Co5大块非晶合金的成本较低。 相似文献
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