共振下n维Lienard型方程的2π周期解

本文在跨共振点条件下证明n维Lienard型方程存在2π周期解.     

全光纤反射式马赫曾德尔干涉型多波长滤波器的研究

对反射式的马赫－曾德尔干涉型多波长滤波器的性能作了较详细的研究，得出了两个耦合器的分光比和两臂的臂长差对其输出谱线的影响，结论对设计制作不同性能指标的该型多波长滤波器具有重要的参考价值。实验上用光纤熔融拉锥法制作了该种器件，实验结果与理论相符合。     

脉冲中子探测系统的中子灵敏度能量响应

为了获得脉冲中子探测系统的中子灵敏度能量响应，编制了适合裂变中子测量探测系统灵敏度能响的一系列专用程序，研究了相应的实验标定技术，采用理论计算和实验验证相结合的方法，对几套探测系统中子灵敏度能量响应进行了研究，初步解决了标定需要的“单能、脉冲、高强度、多个不同能量的中子源”问题，使不确定度大大提高，满足了测量的要求。     

开口波导有效接收面积的测量

高功率微波功率测量的基本思想是将高功率降为低功率来进行测试，空间辐射场测量方法是基于该思想的功率测量方法之一。空间辐射场测量方法是通过测量接收天线接收的辐射场功率来测量微波源的功率，该方法需要已知接收天线在特定频率下的有效接收面积，以便计算出辐射源的功率。对于标准接收天线的有效面积，可以采用近似值来代替接收天线的有效面积，但是测量结果误差较大，因此，为了准确测量辐射源的功率，     

用^60Co放射源检测油垢厚度的初步实验研究

本文用石蜡模拟油垢，用^60Co放射源的1．25MeV平均能量的γ射线垂直入射，以一定的散射角和不同的探测立体角接收散射γ光子敫．发现散射γ计数与被测石蜡厚度之间存在不同的线性关系．结果发现，放射源与探测器之间屏蔽的好坏和合理的探测距离对提高线性度有很大关系．本实验测得最佳线性相关系数平方值为0．9981，平均测量精度为1．26mm．这对研究散射法检测油垢厚度和选择合适的探测距离提供了实验基础．     

“阳”加速器钼丝X-pinch初步实验研究

 在“阳”加速器上进行了直径分别为10, 15, 20 μm, 交叉角为32°,45°,60°的钼（Mo）丝X-pinch实验。“阳”加速器产生的电流峰值约520 kA，上升时间80 ns。实验中通过X射线功率谱仪和纳秒分幅相机等仪器对Mo丝X-pinch辐射特性进行了诊断。实验表明：Mo丝X-pinch过程中会出现多次X射线爆发，箍缩过程中产生的热点辐射出能量超过3 keV的X射线，探测到的最小热点直径小于30 μm。     

Numerical Study on Left-Handed Materials Made of Ferrite and Metallic Wires

Due to coupling effect, we show that it is difficult to realize the left-handed material by placing metallic wires directly into a ferrite matrix. However by introducing an insulating material round the metallic wires to decouple the direct interaction between the metallic wire and ferrite matrix, we have proposed two microstructures, which are shown by numerical simulation to have negative refractive indexes. The influence of microstructure on the transmission property is also examined.     

关于某些三阶方程周期解的存在性,唯一性与稳定性

本文提出B-稳定性的概念,并在非耗散性条件下证明了某些三阶微分方程存在唯一的B-稳定周期解,同时,在耗散性条件下得到一类三阶方程存在平稳振荡的结论。为了方便起见,约定本文所涉及到的函数都是连续的,必要时尚假定是连续可微的。定义一个微分方程的某一解如果在有界解集上是稳定的,但在Liapunov意义下不稳定,则称此解是B-稳定的。     

螺旋脉冲形成线实验

在脉冲功率技术中，长脉冲的电压脉冲形成是研究的一个难点。形成数百纳秒甚至上微秒采用一般的同轴传输线是不现实的，而采用集中参数人工线在负载为低阻抗时由于电容器的寄生电感等的影响而使波形成形较差。螺旋传输线可以延缓脉冲的传播速度，形成较长的脉冲，是比较有前途的发展方向，本次实验以300kV功率源作为螺旋线的脉冲充电电源，试验螺旋传输线形成高压脉冲的可行性及具体的技术问题。