稀土元素Sm、Eu、Gd对Nb掺杂的TiO2压敏电阻电性能的影响

研究了稀土元素Sm、Eu、Gd对于Nb掺杂的TiO₂基压敏电阻电学性能的影响. 几种稀土元素的掺杂量均为体系总量的2%(原子比), 其它原料的掺入量固定不变. 实验样品在1380 ℃烧结, 保温4 h. 实验发现, Sm、Eu、Gd等稀土元素可以有效降低TiO₂基压敏电阻的压敏电压, 但对于非线性系数的影响不很明显. 对于Sm、Eu、Gd掺杂, 实验得到的压敏电压值分别为12.7、14.7和16.1 V. 通过对试样的阻抗分析发现, Sm、Eu、Gd掺杂对于压敏电阻的介电性能有显著影响, 单独掺杂Sm或Gd的试样具有很低的介电常数和介电损耗, 并且具有很高的电阻率.