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1.
在最近召开的美国化学会会议上,以Webster为首的Du Pont公司的研究工作者报道了一种催化合成聚合物的新方法。到目前为止,这种称之为“基团转移聚合”(GTP)的新方法,只应用于丙烯型聚合物,但它具有用于其它类型单体的可能性。Wisconsin州立大学的Trost与Du Pont小组进行了讨论后,认为GTP是“近几十年来有关合成聚合物的第一个新方法”。该法的主要优点是能对聚合过程和所生成的聚合物的大小进行较为准确的控制。在GTP过程中,聚合的引发剂之一是methyltrim(?)thylsilyl dimethylketene acetal(MTDA),也可  相似文献   
2.
由高斯振幅分布的光场之菲涅耳衍射,求得高斯光束的空间传播形式.在此基础上求解激光腔TEM0,0模之腰斑W02及其相对于腔镜的位置,由此自然地得到,激光腔稳定条件即是激光器产生的高斯光束腰斑大于零的条件。在此过程中,完全摒弃了矩阵光学方法,而强调光波衍射对谐振腔稳定性的基本重要性.引入约化半径r1,r2作参数绘制稳区图.稳区图共有四个明显的稳定区,每一区正好与激光腔一种稳定结构对应.此稳区图比广为采用的g1,g2参数双曲线图直观、方便、实用.提出了求解激光束参数的图解法,此方法有利于激光腔设计者全面地掌握激光器工作状态.  相似文献   
3.
在内夹磁弹性单斜地层中,下界面不规则变化时,研究水平偏振剪切波的传播,该地层夹在两个半无限磁弹性单斜介质之间,得到了闭式的色散方程.不计磁场及介质界面的不规则性,该色散方程与三层介质中经典方程相一致.图示了磁场和界面不规则深度对相速度的影响.  相似文献   
4.
利用提升小波从蛋白质序列中提取出它们相互作用的频谱特征,经支持向量机训练学习后,用于预测蛋白质间的相互作用.模拟计算结果表明,在阳性数据和阴性数据平衡的前提下,利用提升小波获取的低维蛋白质相互作用特征向量可以得到较高预测精度.进一步阐述了不同物种的蛋白质相互作用网络有着不同特征,为了得到更准确的预测结果,需要利用不同的方法提取蛋白质相互作用的特征.  相似文献   
5.
运用菲涅耳原理,分析了照相机拍摄的提灯照片中光束中心发出大量射线的原因,使用Mathematica模拟了正多边形孔的衍射图样并计算了不同孔径的亮纹宽度.模拟图样显示:奇数边孔的条纹数目为孔边数的2倍,偶数边孔的条纹数目与孔边数相等.用三角形小孔和七边形小孔进行实验,实验结果与理论模拟一致.  相似文献   
6.
7.
欧阳小迅  沈轶 《应用数学》2006,19(3):626-631
以确定性的Solow增长模型为背景,文章将随机扰动引入其中.因此模型中的要素方程从ODE过渡到It SDE,并对其作某些定性的分析.进而运用二次Liapunov函数等方法对随机Solow模型的零解的稳定性及其平稳分布进行了有益的探索,得出了一些有意义的结果.文章的主要结论是:随机干扰将实质性地改变由确定性增长模型所描述的经济增长路径.  相似文献   
8.
提出了光纤腔掺Er3+/Yb3+光纤激光的模型和速率方程,推导了阈值泵浦功率的解析公式.运用数值求解方法,得到了光纤中反转粒子数分布、小信号增益系数和激光的输出功率.同时也给出了数值曲线,可用于掺Er3+/Yb3+光纤激光器的优化设计.  相似文献   
9.
研究了所合成的新型高顺式聚丁二烯键合纳米二氧化硅杂化材料(PB-Si)的顺式-1,4微观结构、特性黏数([η])、微观形态及热稳定性与键合纳米二氧化硅含量的关系等,并采用示差扫描量热仪(DSC)和配有在线冷热台的偏光显微镜(POM)研究了杂化材料PB-Si中SiO_2含量及微观链结构特点对其低温下等温结晶动力学及结晶形态、球晶增长速率的影响.结果表明:当SiO_2含量小于2.5%时,杂化材料PB-Si的特性黏数和顺式-1,4结构含量均基本保持不变,短支链结构的杂化材料(PB-Si-Ni)的顺式-1,4结构含量约为96.6%,高度线性链结构的杂化材料(PB-Si-Nd)的顺式-1,4结构含量约为98.6%,热稳定性均随着SiO_2含量增加而有所提高;在PB顺式-1,4微观结构及SiO_2结合含量基本相同的前提下,与共混物PB/SiO_2相比,杂化材料PB-Si具有更快的结晶速率,且随着杂化材料PB-Si中SiO_2结合量增大,其结晶速率加快,半结晶时间(t1/2)缩短;若杂化材料中顺式-1,4微观结构含量和SiO_2结合量同时增加,杂化材料PB-Si的结晶速率进一步加快;在顺式结构含量及SiO_2含量确定的情况下,聚合物的拓扑结构对其结晶速率也有明显影响,高度线性结构(PB-Si-Nd)比短支链结构(PB-Si-Ni)的杂化材料也具有更快的结晶速率;杂化材料PB-Si在低温等温结晶过程中均呈现三维球晶的生长方式,Avrami指数(n)在2.0~3.0之间,球晶增长速率也随SiO_2结合量增加而加快.  相似文献   
10.
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