InOOH光催化材料的研究进展

InOOH是一种禁带宽度约为3.7 eV的n型半导体材料,其导带位置比TiO₂更负,价带位置比TiO₂更正。近年来,InOOH在光催化领域受到了研究者越来越多的关注。本文介绍了InOOH的晶体结构和独特的电子结构,概述了InOOH的制备方法以及在紫外光照射下用于气相降解苯和甲苯,液相降解罗丹明B、甲基橙等染料和其他有机污染物的研究现状,总结了目前对InOOH进行可见光改性的两种途径:掺杂和形成复合物。最后,对InOOH光催化材料未来的研究方向进行了展望。