制作高密度衍射光栅的光电式刻划控制的研究

高精度的光电式刻划控制系统是制作高密度母光栅的关键技术,以光栅干涉仪为控制核心,设计了光电式的光栅刻划控制系统,并对可能产生的加工误差进行了初步的分析;采用该控制系统的光栅刻划实践表明,所设计的光电式刻划控制系统已完全达到了高密度衍射光栅的亚微米栅距分度要求。     

液晶光定向层材料

本文综述了近10年来液晶显示用光定向层材料领域的研究现状和进展情况，主要概述了光降解型、光致异构型、光交联型以及自组装等材料，并对目前报道的液晶光定向机理进行了总结和归纳。     

去溶温度对微波诱导等离子体原子吸收光谱法分析性能影响的研究

本文研究了超声雾化微波诱导等离子体原子吸收光谱法(UN-MIP-AAS)中,去溶温度对选择载气流量、微波前向功率等因素的影响,并定量考察了去溶效果。通过改善去溶条件,提高了UN-MIP-AAS的分析性能。     

钛硅分子筛挤条成型催化剂热稳定性能的研究

采用在空气中程序升温焙烧的方式考察了钛硅分子筛挤条成型催化剂的热稳定性能．对不同温度焙烧得到的样品进行了XRD、IR、UV Raman和SEM表征．结果表明，在高温焙烧时，由于载体结构的改变引起载体与分子筛之问相互作用发生变化，导致成型催化剂中分子筛骨架破坏．随着焙烧温度的提高，IR谱图中960cm^-1处代表钛进入骨架的特征峰的强度迅速减弱，当焙烧温度达到1000℃时，960cm-1处的骨架钛特征峰移至948cm^-1．在紫外拉曼谱图中，骨架位钛物种的特征拉曼谱峰-1125cm^-1谱峰在加入SiO2载体后，高温下峰强度明显降低，这说明载体的加入降低了钛硅分子筛挤条成型催化剂的热稳定性能．     

柔性双咪唑配体导向的Co(Ⅱ)⁃戊二酸金属有机骨架材料的合成、结构和性能

在水热条件下合成并表征了2例基于柔性配体构筑的Co(Ⅱ)-MOFs:{[Co(glu)(bimb)]·4H2O}n (1),[Co(glu)(bix)0.5]n (2)(H2glu=戊二酸;bimb=1,4-双(咪唑-1-基)-丁烷;bix=1,4-双(咪唑-1-基-亚甲基)-苯)。配合物1显示非穿插的(4,4)-菱形网格,通过层间氢键和π…π作用拓展为三维超分子结构。加热失水后1的结构不可逆地降解。配合物2呈现典型的柱-层状三维结构,其拓扑符号为41263,中心Co(Ⅱ)离子采用四方锥构型。此外,性质研究表明:配合物1在水溶液中对染料甲基橙具有显著的吸附活性,配合物2表现出弱的反铁磁行为。     

高强钢筋混凝土单向板在非接触爆炸下的抗爆性能研究

钢筋混凝土(RC)单向板是桥梁建设的重要组成部分. 对6块高强RC单向板进行非接触爆炸试验, 研究HRB400、HRB500和HTRB600高强RC单向板的抗爆性能, 分析爆炸后试件的破坏形态和参数. 结果表明 非接触爆炸下, 3种类型高强钢筋混凝土单向板的破坏形态相似, 单向板整体响应后出现弯曲破坏, 侧表面出现多条弯曲破坏裂缝; 在2.5kgTNT作用下的HTRB600高强RC单向板的裂缝数量和裂缝类型与2.1kgTNT作用下的HRB500高强RC单向板和1.7 kgTNT作用下的HRB400高强RC单向板差别不大, 相差范围在1条裂缝以内; HTRB600高强RC单向板在承受更大载荷时, 其平均加速度峰值比低载荷下HRB500、HRB400高强RC单向板分别增加45.1%和88.6%, 其抗弯承载力更好, 刚度更大.     

改进的最小费用理论在盲竖井选址中的应用

在网络的任意点求解绝对中心等特殊点是网络流研究的一个难点.在目前最小费用理论的基础上引入平面几何理论,把网络等效于几何图形,建立了数学模型.通过求解,得出了网络间的最佳连接点,从而确定出盲竖井的位置.最后以云南锡业集团个旧东区两个生产平台之间的连接为一算例,得出了理想的结果,验证了该方法的有效可行性.     

垂直各向异性Ho3Fe5O12薄膜的外延生长与其异质结构的自旋输运

垂直磁各向异性稀土-铁-石榴石纳米薄膜在自旋电子学中具有重要应用前景.本文使用溅射方法在(111)取向掺杂钇钪的钆镓石榴石(Gd_0.63Y_2.37Sc₂Ga₃O₁₂,GYSGG)单晶衬底上外延生长了2—100 nm厚的钬铁石榴石(Ho₃Fe₅O₁₂,HoIG)薄膜,并进一步在HoIG上沉积了3 nm Pt薄膜.测量了室温下HoIG的磁各向异性和HoIG/Pt异质结构的自旋相关输运性质.结果显示,厚度薄至2 nm的HoIG薄膜(小于2个单胞层)在室温仍具有铁磁性,且由于外延应变,2—60 nm厚HoIG薄膜都具有很强的垂直磁各向异性,有效垂直各向异性场最大达350 mT;异质结构样品表现出非常可观的反常霍尔效应和“自旋霍尔/各向异性”磁电阻效应,前者在HoIG厚度小于4 nm时开始缓慢下降,而后者当HoIG厚度小于7 nm时急剧减小,说明相较于反常霍尔效应,磁电阻效应对HoIG的体磁性相对更加敏感;此外,自旋相关热电压随HoIG厚度减薄在整个厚度范围以指数方式下降,说明遵从热激化磁振子运动规律的自旋塞贝克效应是其主要贡献者.本文结果表明HoIG纳米薄膜具有可调控的垂直磁各向异性,厚度大于4 nm的HoIG/Pt异质结构具有高效的自旋界面交换作用,是自旋电子学应用发展的一个重要候选材料.