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通过Sn助熔剂法在高温下合成一种Zintl相化合物α-BaZn_2P_2,通过X射线单晶衍射确定其晶体结构与α-BaCu_2S_2同构,属于Pnma空间群。α-Ba Zn2P2的晶格参数为:a=0.976 78(5)nm,b=0.413 34(2)nm,c=1.060 55(5)nm。与高温相β-BaZn_2P_2的层状结构不同,低温相α-Ba Zn2P2具有三维网格结构。其中Zn P4四面体通过共边和共顶2种方式连接形成阴离子框架,Ba2+作为阳离子填隙其中。基于密度泛函理论计算了该化合物的能带结构和态密度,结果表明该化合物是窄带隙半导体(Eg=0.4 e V)。另外,DSC和变温XRD结果表明高温下α-BaZn_2P_2分解为Ba4P5,Zn P4等二元相。 相似文献
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通过Sn助熔剂法在高温下合成一种Zintl相化合物α-BaZn2P2,通过X射线单晶衍射确定其晶体结构与α-BaCu2S2同构,属于Pnma空间群。α-BaZn2P2的晶格参数为:a=0.976 78(5) nm,b=0.413 34(2) nm,c=1.060 55(5) nm。与高温相β-BaZn2P2的层状结构不同,低温相α-BaZn2P2具有三维网格结构。其中ZnP4四面体通过共边和共顶2种方式连接形成阴离子框架,Ba2+作为阳离子填隙其中。基于密度泛函理论计算了该化合物的能带结构和态密度,结果表明该化合物是窄带隙半导体(Eg=0.4 eV)。另外,DSC和变温XRD结果表明高温下α-BaZn2P2分解为Ba4P5,ZnP4等二元相。 相似文献
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通过Sn助熔剂法在高温下合成一种Zintl相化合物α-BaZn2P2,通过X射线单晶衍射确定其晶体结构与α-BaCu2S2同构,属于Pnma空间群。α-BaZn2P2的晶格参数为:a=0.976 78(5)nm,b=0.413 34(2)nm,c=1.060 55(5)nm。与高温相β-BaZn2P2的层状结构不同,低温相α-BaZn2P2具有三维网格结构。其中ZnP4四面体通过共边和共顶2种方式连接形成阴离子框架,Ba2+作为阳离子填隙其中。基于密度泛函理论计算了该化合物的能带结构和态密度,结果表明该化合物是窄带隙半导体(Eg=0.4 eV)。另外,DSC和变温XRD结果表明高温下α-BaZn2P2分解为Ba4P5,ZnP4等二元相。 相似文献
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