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回顾了中子单粒子研究的国内外发展情况,介绍了近几年西北核技术研究所在西安脉冲堆开展的低能中子单粒子效应研究进展。比较了稳态与脉冲工况下中子单粒子效应的异同性;分析了含有SRAM结构器件随着特征尺寸的减小,中子单粒子效应敏感性加剧的物理机制。分析认为目前中子单粒子效应已成为小尺寸大规模互补金属氧化物半导体器件的主要中子效应表现;中子辐射效应研究中,除了位移损伤效应以外还必需重视由中子电离造成的中子单粒子效应。 相似文献
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建立了一个四组分一维混合模型,对电子束注入大气产生大尺度等离子体的过程进行了数值模拟.结果表明了能量为140keV、流强为50mA/cm2的注入电子束,可以产生线度为0.5m,密度为1012cm-3量级的大气环境下等离子体.电子束所伴随的空间电荷效应由于等离子体的产生会很快消失,不影响后续的等离子体产生过程.电子束注入流强主要影响产生等离子体的密度,而电子束能量则同时影响其空间线度和密度.
关键词:
电子束
碰撞
电离 相似文献
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敏化LiF(Mg, Ti)热释光剂量片(LiF(Mg, Ti)-M TLD)是用于强脉冲辐射场剂量测量的主要探测器。对国内4个厂家生产的敏化LiF(Mg, Ti)热释光剂量片进行了射线响应的一致性、重复性和线性的比较研究, 测量了射线辐照后4种敏化LiF(Mg, Ti)热释光剂量片试验样品的吸收剂量读数平均值及标准偏差, 比较了4种样品在不同吸收剂量下的灵敏度及其变异系数, 并获得了超出线性上限的大剂量辐照对剂量片线性响应特性的影响规律。研究结果表明, 北京防化研究院生产的剂量片性能最优, 试验样品在吸收剂量为6 Gy(Si)时读数变异系数为3.11%, 重复性指标在5%以内, 线性响应上限在50~100 Gy(Si)之间。吸收剂量为150 Gy(Si)并退火后再次使用时的灵敏度漂移幅度约为11%。 相似文献
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盘状液晶分子由稠环芳核和围绕的多条柔性链构成, 具有独特的自组装有序超分子结构、半导体性质和光学性质. 其可通过溶液或喷墨打印技术加工成为光电子薄膜器件, 具有低成本优势. 通过Suzuki-Miyaura交叉偶联和Scholl氧化环化策略, 合成了一系列新的具有苯并䓛结构的非对称酸酐、羧酸酯、酰亚胺和苯并咪唑稠环衍生物, 并对其液晶性和光物理性质进行了详细研究. 通过偏振光学显微镜(POM), 差示扫描量热法(DSC)和小角度X射线散射(SAXS)测试表明, 这些极性盘状化合物自组装堆积呈六方柱状(Colhex)液晶相, 其中, 最宽的液晶温度范围达206 ℃. 官能团和共轭体系大小决定了相变温度和液晶范围. 荧光测试结果表明, 化合物溶液中绝对量子产率高达34%, 根据官能团不同, 这些化合物发蓝、绿和红光. 借助密度泛函理论(DFT)计算, 解释了该系列极性盘状液晶分子发光性质的差异. 基于本工作的合成方法, 从萘酸酐原料出发为构建结构多变、性质丰富的π-共轭(杂环)芳烃盘状液晶化合物提供了新途径. 相似文献
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敏化LiF(Mg, Ti)热释光剂量片(LiF(Mg, Ti)-M TLD)是用于强脉冲辐射场剂量测量的主要探测器。对国内4个厂家生产的敏化LiF(Mg, Ti)热释光剂量片进行了射线响应的一致性、重复性和线性的比较研究, 测量了射线辐照后4种敏化LiF(Mg, Ti)热释光剂量片试验样品的吸收剂量读数平均值及标准偏差, 比较了4种样品在不同吸收剂量下的灵敏度及其变异系数, 并获得了超出线性上限的大剂量辐照对剂量片线性响应特性的影响规律。研究结果表明, 北京防化研究院生产的剂量片性能最优, 试验样品在吸收剂量为6 Gy(Si)时读数变异系数为3.11%, 重复性指标在5%以内, 线性响应上限在50~100 Gy(Si)之间。吸收剂量为150 Gy(Si)并退火后再次使用时的灵敏度漂移幅度约为11%。 相似文献
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Synergistic effects of neutron and gamma ray irradiation of a commercial CHMOS microcontroller 下载免费PDF全文
This paper presents the experimental results of a combined irradiation environment of neutron and gamma rays on 80C196KC20,which is a 16-bit high performance member of the MCS96 microcontroller family.The electrical and functional tests were made in three irradiation environments:neutron,gamma rays,combined irradiation of neutron and gamma rays.The experimental results show that the neutron irradiation can affect the total ionizing dose behaviour.Compared with the single radiation environment,the microcontroller exhibits considerably more severe degradation in neutron and gamma ray synergistic irradiation.This phenomenon may cause a significant hardness assurance problem. 相似文献
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Phase behaviors of binary mixtures composed of electron-rich and electron-poor triphenylene discotic liquid crystals 下载免费PDF全文
Disk-like liquid crystals(DLCs) can self-assemble to ordered columnar mesophases and are intriguing onedimensional organic semiconductors with high charge carrier mobility.To improve their applicable property of mesomorphic temperature ranges,we exploit the binary mixtures of electronic donor-acceptor DLC materials.The electron-rich2,3,6,7,10,11-hexakis(alkoxy)triphenylenes(C4,C6,C8,C10,C12) and an electron-deficient tetrapentyl triphenylene-2,3,6,10-tetracarboxylate have been prepared and their binary mixtures have been investigated.The mesomorphism of the1:1(molar ratio) mixtures has been characterized by polarizing optical microscopy(POM),differential scanning calorimetry(DSC),and small angel x-ray scattering(SAXS).The self-assembled monolayer structure of a discogen on a solid-liquid interface has been imaged by the high resolution scanning tunneling microscopy(STM).The match of peripheral chain length has important influence on the mesomorphism of the binary mixtures. 相似文献
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Synergistic effects of neutron and gamma ray irradiation of commercial CHMOS microcontroller 下载免费PDF全文
This paper presents the experimental results of a
combined irradiation environment of neutron and gamma rays on
80C196KC20, which is a 16-bit high performance member of the MCS96
microcontroller family. The electrical and functional tests were
made in three irradiation environments: neutron, gamma rays,
combined irradiation of neutron and gamma rays. The experimental
results show that the neutron irradiation can affect the total
ionizing dose behaviour. Compared with the single radiation
environment, the microcontroller exhibits considerably more severe
degradation in neutron and gamma ray synergistic irradiation. This
phenomenon may cause a significant hardness assurance
problem. 相似文献