pH－ISFET库仑滴定系统特性研究

ｐＨ－ＩＳＦＥＴ库仑滴定系统特性研究陈伟平，王东红，虞 ，王贵华（哈尔滨工业大学控制工程系１５０００６）１９８５年荷兰Ｔｗｅｎｔｅ大学的Ｂ．Ｈ．ｖａｎｄｅｒＳｃｈｏｏｔ等人研制了一种微升级ｐＨ－ＩＳＦＥＴ库仑滴定固态传感器，不仅使ＩＳＦＥＴ（离子敏场?..     

鸭源H9N2亚型禽流感病毒血凝素基因的克隆、序列分析及原核表达

参照GenBank收录的H9N2亚型禽流感病毒血凝素(HA)基因序列设计并合成引物,以鸭源H9N2亚型禽流感病毒RNA为模板,利用RT PCR方法扩增了预计约1700bp的HA基因,将此扩增产物克隆进pMD18 T载体,采用限制性酶切及序列测定鉴定阳性重组克隆子.测序结果表明HA基因长为1683bp.基于HA蛋白的信号肽在表达中的负面作用,本研究通过基因工程手段缺失HA蛋白位于起始的信号肽的编码序列,获得了缺失HA蛋白信号肽的HA基因,并将其亚克隆到pGEX KG中,与GST融合表达.SDS PAGE结果显示:融合表达的蛋白分子量约为90×103.Western印迹表明表达蛋白具有免疫活性.     

硅中滑移多边化

弯曲形变硅单晶中之位错,在高温退火时,通过攀移与滑移而沿垂直于滑移面方向重新排列,形成多边化墙。此种多边化通常称为退火多边化,或称力热多边化。但也存在着另一种机制的多边化,通常称为滑移多边化或机械多边化。在铜、锌等晶体形变时,曾观察到滑移多边化。我们在研究硅的弯曲形变时,也发现了滑移多边化现象。     

硅中位错增殖的实验观察

用化学侵蚀法研究了在机械应力和热应力作用下硅中位错的增殖和非均匀成核。结果表明,在使位错增殖和成核作用上,热应力同机械应力是等效的。硅中小角晶界中的位错,原生孤立位错都能成为位错源;晶体内部的缺陷及表面蚀斑处的应力集中能够引起位错成核;硅中螺型位错能够通过交叉滑移机制发生增殖。对新生位错环空间分布的研究表明,Frank-Read机制可能是位错增殖的主要形式。位错能否发生增殖,主要决定于位错源所受分切应力的数值、晶体温度、位错本身的结构特点以及钉扎情况等。     

硅中位错与蚀斑的对应关系

通过实验肯定了硅单晶的化学侵蚀定向方法,找出抛光液的最佳配比及抛光时间。确定了所选定的位错侵蚀剂的侵蚀规范;此侵蚀剂对晶面无选择性,能显示出刃型和螺型位错,以及“新”、“旧”位错。通过长时间侵蚀、逐层侵蚀、劈裂面蚀斑的对应、小角晶界上蚀斑的观察、形变硅单晶中蚀斑排列以及弯曲形变样品中蚀斑密度与曲率半径间的关系的研究等方法,证明了用此侵蚀剂所得的蚀斑确实与位错一一对应。     

硅中退火多边化

用化学侵蚀法对硅单晶中的退火多边化进行了实验研究。研究了多边化过程及其与退火温度的关系。根据实验数据求出硅中位错攀移激活能,发现形变时产生双滑移系退火而不形成多边化墙的主要原因,并非由于形成Lomer-Cottrell位错。     

区熔硅单晶中一种位错源

用化学侵蚀法研究了区熔法生长的硅单晶体中的杂质条,以及由此杂质条的体印压产生的位错环列。实验结果表明,杂质条处在硅中{111}面的〈110〉方向上,杂质条的长度约为5—230μm;其横向尺寸约为2—3μm。我们研究了杂质条体印压产生的位错环列的几何结构。杂质条的尺寸和形状决定了位错环的尺寸和形状。还观察和分析了位错环列交叠产生的位错网络。 关键词：