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1.
用俄歇参数法研究SiO2/Si界面层硅元素过渡态
刘芬
王忠燕
《分析测试学报》
1993,12(6):74-77
本文报道了俄歇参数法用于SiO2/Si界面层硅过渡态的研究。使用一种新的AlKα-AgLα混合X射线激发源,获得了界面层上Si2P,SiKLL谱峰。给出了从表面到界面硅的化学状态变化与俄歇参数值。
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